ZHCSXN1A December 2024 – May 2025 MCF8316D
PRODUCTION DATA
輸出 FET 電阻 (RDS(on)) 中耗散的功率在 MCF8316D 的功率耗散中占主導地位。
在啟動和故障條件下,FET 電流遠大于正常運行 FET 電流;務必將這些峰值電流及其持續時間考慮在內。
器件總功率損耗是在三個半橋的每個半橋上耗散的功率以及待機功率、LDO 和降壓穩壓器損耗相加的結果。
器件可耗散的最大功率取決于環境溫度和散熱。
請注意,RDS(on) 隨溫度升高而增加,因此隨著器件發熱,功率耗散也會增大。在確定散熱器尺寸時,請考慮這一點。
用于計算每個損耗的公式摘要如表 10-3 所示。
損耗類型 | MCF8316D |
|---|---|
待機功耗 | Pstandby = VM x IVM_TA |
LDO | PLDO = (VM-VAVDD) x IAVDD(如果 BUCK_PS_DIS = 1b) PLDO = (VBK-VAVDD) x IAVDD(如果 BUCK_PS_DIS = 0b) |
FET 導通 | PCON = 3 x (IRMS(FOC))2 x Rds,on(TA) |
FET 開關 | PSW = 3 x IPK(FOC) x VPK(FOC) x trise/fall x fPWM |
二極管 | Pdiode = 3 x IPK(FOC) x Vdiode x tdead x fPWM |
降壓 | PBK = 0.11 x VBK x IBK (ηBK = 90%) |