ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓 | ||||||
| V(VS) | 工作輸入電壓 | 3 | 65 | V | ||
| V(VS_PORR) | VS POR 閾值，上升 | 2.4 | 2.6 | 2.9 | V | |
| V(VS_PORF) | VS POR 閾值，下降 | 2.2 | 2.4 | 2.7 | V | |
| I(SHDN) | SHDN 電流，I(GND) | V(EN) = 0V | 2.5 | 5 | μA | |
| I(SLEEP) | 睡眠模式電流，I(GND) | V(EN) = 2V，V(SLEEP) = 0V | 5.5 | 10 | μA | |
| I(Q) | 系統(tǒng)總靜態(tài)電流，I(GND) | V(EN) = 2V（LM74900-Q1、LM74910-Q1） | 630 | 750 | μA | |
V(EN) = 2V (LM74910H-Q1) |
675 | 810 | μA | |||
| V(A) = V(VS) = 24V，V(EN) = 2V（LM74900-Q1、LM74910-Q1） | 635 | 750 | μA | |||
| V(A) = V(VS) = 24V，V(EN) = 2V (LM74910H-Q1) | 675 | 810 | μA | |||
| I(REV) | 反極性期間的泄漏電流 I(A)， | 0V ≤ V(A) ≤ –65V | -100 | -35 | μA | |
| 反極性期間的漏電流，I(OUT) | -1 | -0.3 | μA | |||
| ENABLE | ||||||
| V(ENF) | 使能上升閾值電壓 | 0.6 | 0.8 | 1.05 | V | |
| V(ENF) | 低 Iq 關(guān)斷使能閾值電壓，下降 | 0.41 | 0.7 | 0.98 | V | |
| I(EN) | 0V ≤ V(EN) ≤ 65V | 55 | 200 | nA | ||
| 欠壓鎖定比較器（SW、UVLO） | ||||||
| V(UVLOR) | UVLO 閾值電壓，上升 | 0.585 | 0.6 | 0.63 | V | |
| V(UVLOF) | UVLO 閾值電壓，下降 | 0.533 | 0.55 | 0.573 | V | |
| I(UVLO) | 0V ≤ V(UVLO) ≤ 5V | 50 | 200 | nA | ||
| 過壓保護和電池檢測（SW、OV）輸入 | ||||||
| R(SW) | 電池檢測斷開開關(guān)電阻 | 3V ≤V(A) ≤ 65V | 10 | 22.5 | 46 | ? |
| V(OVR) | 過壓閾值輸入，上升 | 0.585 | 0.6 | 0.63 | V | |
| V(OVF) | 過壓閾值輸入，下降 | 0.533 | 0.55 | 0.573 | V | |
| I(OV) | OV 輸入漏電流 | 0V ≤ V(OV) ≤ 5V | 50 | 200 | nA | |
| 電流檢測放大器 | ||||||
| V(OFFSET) | 輸入?yún)⒖计齐妷海╒SNS 至 VIMON 調(diào)節(jié)） | RSET = 50Ω，RIMON = 5kΩ、10kΩ（對應于 VSNS = 6mV 至 30mV）增益分別為 45 和 90。 （LM74900-Q1、LM74910-Q1） | -2.1 | 2.1 | mV | |
| V(GE_SET) | VSNS 至 VIMON 調(diào)節(jié) | RSET = 50Ω、RIMON = 5kΩ（對應于 VSNS = 6mV 至 30mV） | 82 | 90 | 97 | |
| V(SNS_TH) | OCP 比較器閾值，上升 (ILIM) | 1.08 | 1.22 | 1.32 | ||
| V(SNS_TH) | OCP 比較器閾值，下降 (ILIM) | 1.02 | 1.15 | 1.25 | V | |
| ISCP | SCP 輸入偏置電流 | VISCP = 12V（LM74900-Q1、LM74910-Q1） | 9.5 | 10.5 | 12 | μA |
| VISCP = 12V (LM74910H-Q1) | 9.3 | 10.5 | 12 | μA | ||
| V(SNS_SCP) | SCP 閾值 | R(ISCP)= 0Ω（ISCP 連接到 VS）（LM74900-Q1、LM74910-Q1） | 17.86 | 20 | 22.77 | mV |
| R(ISCP)= 0Ω（ISCP 連接到 VS）(LM74910H-Q1) | 17.86 | 20 | 23 | mV | ||
| R(ISCP) = 1k?（外部） | 31 | mV | ||||
| IMON_ACC | 電流監(jiān)測器輸出精度 | VSENSE = 20mV（LM74900-Q1、LM74910-Q1） | -12.5 | 12.5 | % | |
| VSENSE = 10mV (LM74910H-Q1) | -6 | 6 | % | |||
| VSENSE = 20mV (LM74910H-Q1) | -3 | 3 | % | |||
| VSENSE = 30mV (LM74910H-Q1) | -2 | 2 | % | |||
| 故障 | ||||||
| R(FLT) | FLT_I 下拉電阻 | （LM74900-Q1、LM74910-Q1） | 11 | 25 | 60 | ? |
| (LM74910H-Q1) | 9.46 | 25 | 60 | ? | ||
| I_FLT | FLT 輸入漏電流 | 0V ≤ V(FLT) ≤ 20V | -100 | 400 | nA | |
| 延遲計時器(TMR) | ||||||
| I(TMR_SRC_CB) | TMR 源電流 | 65 | 85 | 97 | μA | |
| I(TMR_SRC_FLT) | TMR 源電流 | 1.94 | 2.7 | 3.4 | μA | |
| I(TMR_SNK) | TMR 灌電流 | （LM74900-Q1、LM74910-Q1） | 2 | 2.7 | 3.15 | μA |
| (LM74910H-Q1) | 2 | 2.7 | 3.66 | μA | ||
| V(TMR_OC) | IWRN 關(guān)斷的 TMR 引腳電壓 | 1.1 | 1.2 | 1.4 | V | |
| V(TMR_FLT) | 用于 IFLT 觸發(fā)的 TMR 引腳電壓 | 1.04 | 1.1 | 1.2 | V | |
| V(TMR_LOW) | 用于 AR 計數(shù)器下降閾值的 TMR 引腳電壓 | 0.1 | 0.2 | 0.3 | V | |
| N(A_R_Count) | 自動重試周期數(shù) | 32 | ||||
| 電荷泵 (CAP) | ||||||
| I(CAP) | 電荷泵拉電流（電荷泵導通） | V(CAP) – V(A) = 7V，6V ≤ V(S) ≤ 65V | 1.3 | 2.7 | mA | |
| V(CAP) – V(A) = 7V，VS = 65V，僅限 LM74910-Q1 | 2.5 | 4.2 | mA | |||
| VCAP – VS | 電荷泵導通電壓 | 11 | 12.2 | 13.2 | V | |
| 電荷泵關(guān)斷電壓 | 11.9 | 13.2 | 14.1 | V | ||
| V(CAP UVLO) | 電荷泵 UVLO 電壓閾值，上升 | 5.4 | 6.6 | 7.9 | V | |
| 電荷泵 UVLO 電壓閾值，下降 | 4.4 | 5.5 | 6.6 | V | ||
| 理想二極管（A、C、DGATE） | ||||||
| V(A_PORR) | V(A) POR 閾值，上升 | 2.2 | 2.45 | 2.7 | V | |
| V(A_PORF) | V(A) POR 閾值，下降 | 2 | 2.25 | 2.45 | V | |
| V(AC_REG) | 穩(wěn)壓正向 V(A)–V(C) 閾值 | 3.6 | 10.5 | 13.4 | mV | |
| V(AC_REV) | V(A)–V(C) 快速反向電流阻斷閾值 | -16 | -10.5 | -5 | mV | |
| V(AC_FWD) | V(A)–V(C) 反向至正向轉(zhuǎn)換的閾值 | 150 | 177 | 200 | mV | |
| V(DGATE) – V(A) | 柵極驅(qū)動電壓 | 3V < V(S) < 5V | 7 | V | ||
| 5V < V(S) < 65V | 9.2 | 11.5 | 14 | V | ||
| I(DGATE) | 峰值柵極拉電流 | V(A) – V(C) = 100mV，V(DGATE) – V(A) = 1V | 18.5 | mA | ||
| 峰值柵極灌電流 | V(A) – V(C) = -12mV，V(DGATE) – V(A) = 11V | 2670 | mA | |||
| 穩(wěn)壓灌電流 | V(A) – V(C) = 0V，V(DGATE) – V(A) = 11V | 5 | 13.5 | μA | ||
| I(C) | 陰極漏電流 | V(A) = -14V，V(C) = 12V | 4 | 9 | 32 | μA |
| 高側(cè)控制器（HGATE、OUT） | ||||||
| V(HGATE) – V(OUT) | 柵極驅(qū)動電壓 | 3V < V(S) < 5V | 7 | V | ||
| 5V < V(S) < 65V | 10 | 11.1 | 14.5 | V | ||
| I(HGATE) | 源電流 | 39 | 55 | 75 | μA | |
| 灌電流 | V(OV) > V(OVR) | 128 | 180 | mA | ||
| 睡眠模式 | ||||||
| V(SLEEPR) | SLEEP 高電平閾值電壓 | 0.85 | 1.05 | V | ||
| V(SLEEPF) | 低 Iq 關(guān)斷 SLEEP 閾值電壓，下降 | 0.41 | 0.7 | V | ||
| I(SLEEP) | SLEEP 輸入漏電流 | 100 | 160 | nA | ||
| 過壓閾值 | 睡眠模式過壓上升閾值 | SLEEP=低電平，EN=高電平 | 19.3 | 21.3 | 23 | V |
| 過壓閾值 | 睡眠模式過壓閾值 | SLEEP=低電平，EN=高電平 | 18.4 | 21 | 22.2 | V |
| 過流閾值 | 睡眠模式過流閾值（器件閉鎖） | 150 | 250 | 310 | mA | |
| T(TSD) | 睡眠模式 TSD 閾值，上升 | SLEEP=低電平，EN=高電平 | 155 | ℃ | ||
| T(TSDhyst) | TSD 遲滯 | SLEEP=低電平，EN=高電平 | 10 | ℃ | ||