ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
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A、C、DGATE 由理想二極管級組成。將外部 MOSFET 的源極連接到 A,將漏極連接到 C,將柵極連接到 DGATE。LM749x0-Q1 具有低至 –65V 的集成反向輸入保護功能。
啟用 DGATE 驅動器之前,必須滿足以下條件:
如果未達到上述條件,則 DGATE 引腳從內部連接到 A 引腳,確保外部 MOSFET 被禁用。
在 LM749x0-Q1 中,在 A 引腳和 C 引腳之間持續監測 MOSFET 兩端的壓降,并根據需要調節 DGATE 至 A 電壓,以將正向壓降穩定在 10.5mV(典型值)。該閉環調節方案可在反向電流事件中支持 MOSFET 平穩關斷,并確保零直流反向電流。該方案可確保在慢速輸入電壓斜降測試期間實現穩健的性能。除了線性穩壓放大器方案外,LM749x0-Q1 還集成了快速反向電壓比較器。當 A 和 C 上的壓降達到 V(AC_REV) 閾值時,DGATE 在 0.5μs(典型值)內變為低電平。這種快速反向電壓比較器方案可確保在輸入微短路等快速輸入電壓斜降測試期間實現穩健性能。當 A 和 C 之間的電壓在 2.8μs(典型值)內達到 V(AC_FWD) 閾值時,外部 MOSFET 重新導通。