ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細說明
- 9 應(yīng)用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|24
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|24
訂購信息
9.4.1 瞬態(tài)保護
當外部 MOSFET 在過壓切斷、反向電流阻斷、過流切斷、EN 導致電流中斷等條件下關(guān)斷時，輸入線路電感會在輸入端產(chǎn)生正電壓尖峰，而輸出電感會在輸出端產(chǎn)生負電壓尖峰。電壓尖峰（瞬變）的峰值振幅取決于與器件輸入或輸出串聯(lián)的電感值。如果未采取措施解決此問題，這些瞬變可能會超過器件的絕對最大額定值。
解決瞬變的典型方法包括：
- 最大限度減少進出器件的引線長度和電感。
- 使用較大的 PCB GND 平面。
- 在輸出端和 GND 使用肖特基二極管來吸收負尖峰。
- 使用低容值陶瓷電容器（C(IN) 低至約 0.1μF）來吸收能量并抑制瞬變。
輸入電容的近似值可通過公式 8 進行估算。
方程式 18. 
其中
- V(IN) 是標稱電源電壓
- I(LOAD) 是負載電流
- L(IN) 等于在源極中觀察到的有效電感
- C(IN) 是輸入端存在的電容
某些應(yīng)用可能需要額外的瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)，以防止瞬變超過器件的絕對最大額定值。這些瞬變可能會在 EMC 測試（例如汽車 ISO7637 脈沖）期間發(fā)生。
圖 9-27 典型應(yīng)用圖