ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
LM749x0-Q1 通過 ILIM 引腳和 GND 之間連接的電阻器 (RLIM) 提供可編程的過流閾值設置。
其中
CTMR 對斷路器和自動重試時間進行編程。一旦 CS+ 和 CS– 上的電壓超過設定點,CTMR 便會以 85μA 的上拉電流開始充電。一旦 CTMR 充電至 V(TMR_FLT),FLT 就會置為低電平,從而提供 FET 即將關斷的警告。一旦 CTMR 充電至 V TMR_OC,HGATE 就會被拉至 OUT,從而關斷 HFET。發生此事件后,自動重試行為就會開始。CTMR 電容器開始放電,下拉電流為 2.7μA。一旦電壓達到 VTMR_Low 電平,電容器就會開始充電,上拉電流為 2.7μA。經過 CTMR 的 32 個充/放電周期后,FET 導通,FLT 在置為無效延遲后置為無效。
其中
自動重試時間可通過以下公式計算
如果過流脈沖持續時間低于 TOC,則 FET 保持開通,CTMR 通過內部下拉開關放電。
不使用時,ILIM 接地,而 TMR 可以保持懸空。
如果過流脈沖持續時間低于 TOC,則 HFET 保持開通,CTMR 通過內部下拉開關放電。