ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|24
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|24
訂購(gòu)信息
8.4.2 低 IQ 睡眠模式 (SLEEP)
LM749x0-Q1 支持低 IQ 睡眠模式運(yùn)行。此模式可通過將 SLEEP 引腳拉至低電平（EN = 高電平）來啟用。在睡眠模式下，器件會(huì)關(guān)閉內(nèi)部電荷泵和 SW 開關(guān)并禁用 DGATE 和 HGATE 驅(qū)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)典型值為 6μA 的低電流消耗。但是，與此同時(shí)，器件會(huì)為常開負(fù)載供電，這些負(fù)載通過內(nèi)部低功率 MOSFET（典型導(dǎo)通電阻為 7Ω）連接到 OUT 引腳上。在此模式下，器件可支持 100mA 的峰值負(fù)載電流。隨著負(fù)載增加，內(nèi)部 MOSFET 上的壓降也會(huì)增加。器件在睡眠模式下提供過流保護(hù)，其典型過流閾值為 250mA。對(duì)于 LM74900-Q1 和 LM74910H-Q1，如果在睡眠模式下發(fā)生過流事件，器件會(huì)通過斷開內(nèi)部 MOSFET 開關(guān)并閉鎖器件來保護(hù)內(nèi)部 FET。
對(duì)于 LM74910H-Q1，睡眠模式下的過流事件會(huì)觸發(fā)器件在 64 個(gè)計(jì)時(shí)器周期內(nèi)切換到正常運(yùn)行模式，在此期間器件會(huì)消耗靜態(tài)電流 I(Q)。當(dāng)器件進(jìn)入正常模式并持續(xù) 64 個(gè)計(jì)時(shí)器周期，將啟用電荷泵、DGATE 和 HGATE，從而允許負(fù)載電流流過外部 FET。在 64 個(gè)計(jì)時(shí)器周期結(jié)束后，器件從正常模式恢復(fù)到睡眠模式。這一自動(dòng)重試功能使 LM74910H-Q1 器件能夠啟動(dòng)進(jìn)入睡眠模式并傳遞大于睡眠過流閾值的瞬態(tài)負(fù)載電流，而不會(huì)閉鎖器件。
作為一層額外的保護(hù)，器件還在睡眠模式下具有帶閉鎖功能的熱關(guān)斷，以防器件在睡眠模式下過熱。要使器件退出閉鎖模式，用戶必須切換 SLEEP 或 EN 引腳。
在睡眠模式下，LM749x0-Q1 可針對(duì)輸入過壓事件提供保護(hù)。器件可配置為過壓切斷（SLEEP_OV 連接到 C）或過壓鉗位模式（SLEEP_OV 連接到 VOUT），默認(rèn)過壓閾值為典型值 21V。
如果不需要睡眠模式功能，則應(yīng)將 SLEEP 引腳連接到 EN。不使用時(shí)，SLEEP_OV 引腳可以保持懸空。
圖 8-10 LM749x0-Q1 睡眠模式運(yùn)行如圖 8-11 所示，可以通過在 SLEEP_OV 引腳與 OUT/C 之間添加一個(gè)外部齊納二極管來為睡眠模式實(shí)現(xiàn)更高的過壓閾值。在為 24V 或 48V 供電系統(tǒng)配置過壓閾值時(shí)，此功能非常有用。
圖 8-11 使用外部齊納二極管增大 SLEEP_OV 閾值