ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
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LM749x0-Q1 控制兩個 N 溝道功率 MOSFET,其中 DGATE 用于控制二極管 MOSFET 以模擬理想二極管,而 HGATE 用于控制第二個 MOSFET,以便在禁用時或者過流、過壓、欠壓事件期間切斷電源路徑。HGATE 控制的 MOSFET 可用于在過壓或負載突降情況下鉗制輸出。可使用 EN 或 SLEEP 將 LM749x0-Q1 置于低靜態電流模式,其中 DGATE 和 HGATE 均關斷。
該器件有一個獨立的電源輸入引腳 (VS)。電荷泵源自這個電源輸入。LM749x0-Q1 器件具有單獨的電源輸入配置和單獨的柵極控制架構,可在共漏極拓撲中驅動背對背連接的 MOSFET,從而支持各種系統架構,例如電源 ORing 應用和電源優先級多路復用器應用。借助這些不同的拓撲,系統設計人員可以設計前端電源系統來滿足各種系統設計要求。