ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
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電荷泵提供驅(qū)動(dòng)外部 N 溝道 MOSFET 所需的電壓。在 CAP 和 VS 引腳之間放置一個(gè)外部電荷泵電容器,可以提供能量來(lái)導(dǎo)通外部 MOSFET。為了使電荷泵向外部電容器提供電流,EN 和 SLEEP 引腳電壓必須高于指定的輸入高電平閾值。電荷泵啟用后,可提供典型值為 2.7mA 的充電電流。如果 EN 和 SLEEP 引腳被拉至低電平,則電荷泵保持禁用狀態(tài)。為確??蓪⑼獠?MOSFET 驅(qū)動(dòng)至高于其指定閾值電壓,在啟用內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)器之前,CAP 至 VS 的電壓必須高于欠壓鎖定閾值(通常為 6.6V)。使用方程式 7 可以計(jì)算初始柵極驅(qū)動(dòng)器使能延遲。
其中
為消除柵極驅(qū)動(dòng)器上的任何抖動(dòng),可將大約 1V 的遲滯添加到 VCAP 欠壓鎖定。電荷泵保持啟用狀態(tài),直到 CAP 至 VS 的電壓達(dá)到 13.2V,此時(shí)電荷泵通常處于禁用狀態(tài),從而減少 VS 引腳上的電流消耗。電荷泵保持禁用狀態(tài),直到 CAP 至 VS 的電壓低于 12.2V,此時(shí)電荷泵通常處于啟用狀態(tài)。CAP 與 VS 之間的電壓繼續(xù)在 12.2V 和 13.2V 之間充電和放電,如圖 8-1 所示。通過(guò)啟用和禁用電荷泵,可降低 LM749x0-Q1 的工作靜態(tài)電流。當(dāng)電荷泵處于禁用狀態(tài)時(shí),灌電流為 15μA。