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LM74910H-Q1

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具有斷路器、200kHz ACS、欠壓和過壓保護功能以及睡眠模式的汽車級理想二極管

產品詳情

Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection Iq (typ) (mA) 0.63 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (μA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00287 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection Iq (typ) (mA) 0.63 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (μA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00287 Product type Ideal diode controller
VQFN (RGE) 24 16 mm2 4 x 4
  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
  • 提供功能安全
  • 輸入電壓范圍：3V 至 65V
  • LM74910H-Q1 具有的 74V 絕對最大額定值
  • 反向輸入保護低至 –65V
  • 在共漏極配置下，可驅動外部背對背 N 溝道 MOSFET
  • 在 10.5mV 陽極至陰極正向壓降調節下，理想二極管正常運行
  • 低反向檢測閾值 (-10.5mV)，具有快速關斷響應 (0.5μs)
  • 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
  • 可調過流和短路保護
  • LM74910H-Q1 的模擬電流監測器輸出具有 2% 的精度
  • 可調節過壓和欠壓保護
  • LM74910H-Q1 中的睡眠模式 OCP 重試
  • 2.5μA 低關斷電流（EN = 低電平）
  • 睡眠模式，電流為 6μA（EN = 高電平，SLEEP = 低電平）
  • 采用合適的 TVS 二極管，符合汽車 ISO7637 瞬態要求
  • 采用節省空間的 24 引腳 VQFN 封裝
  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
  • 提供功能安全
  • 輸入電壓范圍：3V 至 65V
  • LM74910H-Q1 具有的 74V 絕對最大額定值
  • 反向輸入保護低至 –65V
  • 在共漏極配置下，可驅動外部背對背 N 溝道 MOSFET
  • 在 10.5mV 陽極至陰極正向壓降調節下，理想二極管正常運行
  • 低反向檢測閾值 (-10.5mV)，具有快速關斷響應 (0.5μs)
  • 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
  • 可調過流和短路保護
  • LM74910H-Q1 的模擬電流監測器輸出具有 2% 的精度
  • 可調節過壓和欠壓保護
  • LM74910H-Q1 中的睡眠模式 OCP 重試
  • 2.5μA 低關斷電流（EN = 低電平）
  • 睡眠模式，電流為 6μA（EN = 高電平，SLEEP = 低電平）
  • 采用合適的 TVS 二極管，符合汽車 ISO7637 瞬態要求
  • 采用節省空間的 24 引腳 VQFN 封裝

LM749x0-Q1 理想二極管控制器可驅動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET，從而模擬具有電源路徑開/關控制及過流和過壓保護功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受低至 –65V 的負電源電壓并保護負載免受這些電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管，以實現反向輸入保護和輸出電壓保持功能。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下，該器件允許在發生過流和過壓事件時使用 HGATE 控制將負載斷開（開/關控制）。該器件具有集成電流檢測放大器，可提供具有可調過流和短路閾值的精確電流監控。該器件具有可調節過壓切斷保護功能。該器件具有睡眠模式，可實現超低靜態電流消耗 (6µA)，同時在車輛處于停車狀態時為始終開啟的負載提供刷新電流。LM749x0-Q1 的最大額定電壓為 65V。

LM749x0-Q1 理想二極管控制器可驅動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET，從而模擬具有電源路徑開/關控制及過流和過壓保護功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受低至 –65V 的負電源電壓并保護負載免受這些電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管，以實現反向輸入保護和輸出電壓保持功能。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下，該器件允許在發生過流和過壓事件時使用 HGATE 控制將負載斷開（開/關控制）。該器件具有集成電流檢測放大器，可提供具有可調過流和短路閾值的精確電流監控。該器件具有可調節過壓切斷保護功能。該器件具有睡眠模式，可實現超低靜態電流消耗 (6µA)，同時在車輛處于停車狀態時為始終開啟的負載提供刷新電流。LM749x0-Q1 的最大額定電壓為 65V。
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* 數據表 LM749x0-Q1 具有斷路器、欠壓和過壓保護以及故障輸出功能的汽車類理想二極管 數據表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 10月 14日

設計和開發

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評估板

LM74900Q1EVM — LM74900-Q1 理想二極管控制器評估模塊

LM74900-Q1 評估模塊可評估 LM74900-Q1 理想二極管控制器在反向電池保護應用中的運行情況和性能。此評估模塊演示了 LM74900-Q1 如何控制兩個背對背 N 溝道功率 MOSFET，以仿真具有電源路徑開/關控制功能以及過流和過壓保護功能的理想二極管整流器。

用戶指南: PDF | HTML
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PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

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