ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
HGATE 和 OUT 由負載斷開開關控制級組成。將外部 MOSFET 的源極連接到 OUT,將柵極連接到 HGATE。
啟用 HGATE 驅動器之前,必須滿足以下條件:
如果未達到上述條件,則 HGATE 引腳從內部連接到 OUT 引腳,確保外部 MOSFET 被禁用。
對于浪涌電流限制,請連接 CdVdT 電容器和 R1,如圖 8-2 所示。
為了限制浪涌電流,需要使用 CdVdT 電容器在上電期間減緩 HGATE 電壓斜升。使用方程式 2 計算 CdVdT 電容值。
其中 IHATE_DRV 為 55μA(典型值),IINRUSH 為浪涌電流,COUT 為輸出負載電容。與 CdVdT 電容器串聯的額外電阻 R1 可縮短關斷時間。