ZHCSO86C December 2022 – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
LM749x0-Q1 支持低 IQ 睡眠模式運行。此模式可通過將 SLEEP 引腳拉至低電平(EN = 高電平)來啟用。在睡眠模式下,器件會關閉內部電荷泵和 SW 開關并禁用 DGATE 和 HGATE 驅動,從而實現典型值為 6μA 的低電流消耗。但是,與此同時,器件會為常開負載供電,這些負載通過內部低功率 MOSFET(典型導通電阻為 7Ω)連接到 OUT 引腳上。在此模式下,器件可支持 100mA 的峰值負載電流。隨著負載增加,內部 MOSFET 上的壓降也會增加。器件在睡眠模式下提供過流保護,其典型過流閾值為 250mA。對于 LM74900-Q1 和 LM74910H-Q1,如果在睡眠模式下發生過流事件,器件會通過斷開內部 MOSFET 開關并閉鎖器件來保護內部 FET。
對于 LM74910H-Q1,睡眠模式下的過流事件會觸發器件在 64 個計時器周期內切換到正常運行模式,在此期間器件會消耗靜態電流 I(Q)。當器件進入正常模式并持續 64 個計時器周期,將啟用電荷泵、DGATE 和 HGATE,從而允許負載電流流過外部 FET。在 64 個計時器周期結束后,器件從正常模式恢復到睡眠模式。這一自動重試功能使 LM74910H-Q1 器件能夠啟動進入睡眠模式并傳遞大于睡眠過流閾值的瞬態負載電流,而不會閉鎖器件。
作為一層額外的保護,器件還在睡眠模式下具有帶閉鎖功能的熱關斷,以防器件在睡眠模式下過熱。要使器件退出閉鎖模式,用戶必須切換 SLEEP 或 EN 引腳。
在睡眠模式下,LM749x0-Q1 可針對輸入過壓事件提供保護。器件可配置為過壓切斷(SLEEP_OV 連接到 C)或過壓鉗位模式(SLEEP_OV 連接到 VOUT),默認過壓閾值為典型值 21V。
如果不需要睡眠模式功能,則應將 SLEEP 引腳連接到 EN。不使用時,SLEEP_OV 引腳可以保持懸空。
如圖 8-11 所示,可以通過在 SLEEP_OV 引腳與 OUT/C 之間添加一個外部齊納二極管來為睡眠模式實現更高的過壓閾值。在為 24V 或 48V 供電系統配置過壓閾值時,此功能非常有用。