ZHCSNB3A February 2023 – January 2025 LM5148-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 說明（續）
- 5 引腳配置和功能
- 6 規格
-
7 詳細說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 輸入電壓范圍 (VIN)
- 7.3.2 高壓偏置電源穩壓器（VCC、VCCX、VDDA）
- 7.3.3 精密使能端 (EN)
- 7.3.4 電源正常監視器 (PG)
- 7.3.5 開關頻率 (RT)
- 7.3.6 雙隨機展頻 (DRSS)
- 7.3.7 軟啟動
- 7.3.8 輸出電壓設定值 (FB)
- 7.3.9 最短可控導通時間
- 7.3.10 誤差放大器和 PWM 比較器（FB、EXTCOMP）
- 7.3.11 斜率補償
- 7.3.12 電感器電流檢測（ISNS+、VOUT）
- 7.3.13 斷續模式電流限制
- 7.3.14 高側和低側柵極驅動器（HO、LO）
- 7.3.15 輸出配置 (CNFG)
- 7.3.16 單輸出雙相運行
- 7.4 器件功能模式
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數據 (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.14 高側和低側柵極驅動器（HO、LO）
LM5148-Q1 包含柵極驅動器和一個關聯的高側電平轉換器來驅動外部 N 溝道 MOSFET。高側柵極驅動器與內部自舉二極管 DBOOT 和自舉電容器 CBOOT 搭配使用。在低側 MOSFET 的導通間隔期間，SW 電壓約為 0V，而 CBOOT 通過內部 DBOOT 從 VCC 充電。TI 建議使用短跡線在 CBOOT 和 SW 引腳之間連接一個 0.1μF 陶瓷電容器。
LO 和 HO 輸出由自適應死區時間方法進行控制，因此兩個輸出（HO 和 LO）絕不會同時啟用，從而防止出現跨導。在允許啟用 LO 驅動器輸出之前，自適應死區時間邏輯會先禁用 HO 并等待 HO 電壓降至 2V（典型值）以下。然后，會允許 LO 在短暫延遲（HO 下降至 LO 上升延遲）后啟用。同樣，HO 導通會延遲，直到 LO 電壓降至 2V 以下。該技術可確保任何尺寸的 N 溝道功率 MOSFET 實現（包括并聯 MOSFET 配置）具有足夠的死區時間。
添加串聯柵極電阻器時要格外小心，因為這可能影響有效死區時間。所選的高側 MOSFET 確定了相應自舉電容值 CBOOT，如方程式 12 所示。
方程式 12. 
其中
- QG 是高側 MOSFET 在適用柵極驅動電壓下的總柵極電荷。
- ΔVCBOOT 是高側 MOSFET 驅動器在導通后的電壓變化。
若要確定 CBOOT，請選擇合適的 ΔVCBOOT，使可用的柵極驅動電壓不會受到顯著影響。ΔVCBOOT 的可接受范圍為 100mV 至 300mV。自舉電容器必須為低 ESR 陶瓷電容器，典型值為 0.1μF。請使用具有邏輯電平柵極閾值電壓的高側和低側 MOSFET。