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ZHCSNB3A February 2023 – January 2025 LM5148-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

RGY|19
- MPQF777A
RGY|24
- MPQF143E

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

RGY|19
- QFND668
RGY|24
- QFND819

訂購信息

8.4.1.1 功率級布局

輸入電容器、輸出電容器和 MOSFET 是降壓穩壓器功率級的構建元件，并通常放在 PCB 的頂層（焊接面）上。可以利用任何系統級空氣流動，因此可以盡可能地發揮對流熱傳遞的優勢。在雙面 PCB 布局中，小信號元件通常放置在底部（元件側）。至少插入一個內部平面并接地以實現屏蔽，并使小信號跡線與嘈雜的電力跡線和線路分離開。
直流/直流穩壓器具有多個高電流環路。盡可能地減小這些環路的面積，以抑制產生的開關噪聲并優化開關性能。
- 環路 1：要盡可能縮小的最重要環路面積源于以下路徑：從輸入電容器到高側和低側 MOSFET，然后再通過接地線回到輸入電容器。將輸入電容器負端子連接到低側 MOSFET（接地端）的源極附近。同樣，將輸入電容器正端子連接到高側 MOSFET（VIN 處）的漏極附近。請參閱圖 8-46 的環路 1。
- 另一個環路不像環路 1 那么重要，其對應的路徑是從低側 MOSFET 到電感器或輸出電容器，再通過接地線回到低側 MOSFET 的漏極。盡可能地靠近接地端連接低側 MOSFET 的源極和輸出電容器的負端子。
PCB 跡線定義為 SW 節點，它連接到高側（控制）MOSFET 的源極、低側（同步）MOSFET 的漏極和電感器的高壓側，必須盡可能短而寬。不過，SW 連接是注入 EMI 的來源，因此不得過大。
遵循 MOSFET 制造商建議的任何 MOSFET 布局注意事項，包括焊盤幾何形狀和焊錫膏模版設計。
SW 引腳連接到功率轉換級的開關節點并用作高側柵極驅動器的返回路徑。圖 8-46 中環路 1 固有的寄生電感和兩個功率 MOSFET 的輸出電容 (C_OSS) 構成了一個諧振電路，該電路會在 SW 節點處引入高頻（超過 50MHz）振鈴。如果不加控制，此振鈴的電壓峰值會顯著高于輸入電壓。確保峰值振鈴幅度沒有超過 SW 引腳的絕對最大額定值限制。在很多情況下，從 SW 節點連接到 GND 的串聯電阻器和電容器緩沖器網絡會抑制該振鈴并減小峰值幅度。提供針對 PCB 布局中緩沖器網絡元件的配置。如果測試表明 SW 引腳處的振鈴幅度過大，則可以在需要時添加緩沖器元件。