ZHCSNB3A February 2023 – January 2025 LM5148-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 說明（續）
- 5 引腳配置和功能
- 6 規格
-
7 詳細說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 輸入電壓范圍 (VIN)
- 7.3.2 高壓偏置電源穩壓器（VCC、VCCX、VDDA）
- 7.3.3 精密使能端 (EN)
- 7.3.4 電源正常監視器 (PG)
- 7.3.5 開關頻率 (RT)
- 7.3.6 雙隨機展頻 (DRSS)
- 7.3.7 軟啟動
- 7.3.8 輸出電壓設定值 (FB)
- 7.3.9 最短可控導通時間
- 7.3.10 誤差放大器和 PWM 比較器（FB、EXTCOMP）
- 7.3.11 斜率補償
- 7.3.12 電感器電流檢測（ISNS+、VOUT）
- 7.3.13 斷續模式電流限制
- 7.3.14 高側和低側柵極驅動器（HO、LO）
- 7.3.15 輸出配置 (CNFG)
- 7.3.16 單輸出雙相運行
- 7.4 器件功能模式
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數據 (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.2.1.2.6 輸入電容器
電源輸入通常在開關頻率下具有相對較高的源阻抗。需要高質量的輸入電容器來限制輸入紋波電壓。如前所述，雙通道交錯運行會顯著降低輸入紋波振幅。通常，紋波電流會根據電容器在開關頻率條件下的相對阻抗在幾個輸入電容器之間進行分流。
- 選擇具有足夠電壓和 RMS 紋波電流額定值的輸入電容器。
- 使用方程式 39 并假定最差情況下占空比工作點為 50% 來計算輸入電容器 RMS 紋波電流。方程式 39.
- 使用方程式 40 來查找所需的輸入電容。方程式 40.
其中
- ΔVIN 是輸入峰峰值紋波電壓規格。
- RESR 是輸入電容器 ESR。
- 確認陶瓷電容器的電壓系數后，選擇兩個 10μF、50V、X7R、1210 陶瓷輸入電容器。將這些電容器靠近功率 MOSFET 放置。有關更多詳細信息，請參閱節 8.4.1.1。
- 在高側 MOSFET 附近放置四個 10nF、50V、X7R、0603 陶瓷電容器以在 MOSFET 開關轉換期間提供高 di/dt 電流。此類電容器在高于 100MHz 條件下提供高自諧振頻率 (SRF) 和低有效阻抗。這樣可以減小電源環路寄生電感，以盡可能地減少開關節點電壓過沖和振鈴，從而減小傳導和輻射的 EMI 信號。有關更多詳細信息，請參閱節 8.4.1。