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ZHCSPB7B December 2024 – April 2025 LM5125-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RHB|32
- MPQF130D

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RHB|32
- QFND643

訂購信息

7.2.3.8 高側(cè)電源開關(guān) Q_H

高側(cè) MOSFET 器件的損耗分為導(dǎo)通損耗、死區(qū)時(shí)間損耗和反向恢復(fù)損耗。開關(guān)損耗只計(jì)算低側(cè) MOSFET 器件的損耗。高側(cè) MOSFET 器件的體二極管在高側(cè) MOSFET 器件開關(guān)前后導(dǎo)通，因此高側(cè) MOSFET 器件的開關(guān)損耗可以忽略不計(jì)。

高側(cè)導(dǎo)通損耗大致計(jì)算如下：

方程式 47.

P_{C O N D_H S} = D' \times I_{i n}^{2} \times R_{D S (o n)} \times 1.3

死區(qū)時(shí)間損耗大致計(jì)算如下：

方程式 48.

P_{D T_H S} = V_{D} \times I_{i n} \times (t_{D L H} + t_{D H L}) \times f_{s w}

其中

V_D 是高側(cè) MOSFET 體二極管的正向壓降。
t_DLH 是低側(cè)開關(guān)關(guān)斷和高側(cè)開關(guān)導(dǎo)通之間的死區(qū)時(shí)間。
t_DHL 是高側(cè)開關(guān)關(guān)斷和低側(cè)開關(guān)導(dǎo)通之間的死區(qū)時(shí)間。

高側(cè) MOSFET 開關(guān)的反向恢復(fù)特性對效率影響極大，特別是在輸出電壓較高時(shí)。較小的反向恢復(fù)電荷有助于提升效率，同時(shí)也使開關(guān)噪聲最小化。

反向恢復(fù)損耗的近似計(jì)算方式如下：

方程式 49.

P_{R R_H S} = V_{o u t} \times Q_{R R} \times f_{s w}

其中

Q_RR 是高側(cè) MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)電荷。

建議在 MOSFET 柵極和源極之間放置一個(gè) 100kΩ 柵極電阻器。電阻由旁路模式下的電荷泵源電流 (I_CP) 確定。如果選擇的電阻太低，則柵極電壓過低，無法完全導(dǎo)通高側(cè) MOSFET。

高側(cè)開關(guān)可以并聯(lián)一個(gè)附加的肖特基二極管，以提升效率。通常，此并聯(lián)肖特基二極管的額定功率小于高側(cè)開關(guān)的功率，因?yàn)樵摱O管只在死區(qū)時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。并聯(lián)二極管的額定功率必須足夠高，以便處理啟動時(shí)的浪涌電流、開關(guān)之前存在的任何負(fù)載、斷續(xù)模式運(yùn)行等。

封裝選項(xiàng)

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散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

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7.2.3.8 高側(cè)電源開關(guān) QH

7.2.3.8 高側(cè)電源開關(guān) Q_H