ZHCSPB7B December 2024 – April 2025 LM5125-Q1
PRODUCTION DATA
選擇一個邏輯電平 N 溝道 MOSFET，確保 5V VCC 足以完全增強 MOSFET。另請注意，旁路操作期間的最小 HOx-SWx 電壓為 3.75V。確保 MOSFET 在該電壓下導通。
通過分解損耗來選擇功率 MOSFET 器件是比較不同器件的相對效率的一種方式。低側 MOSFET 器件的損耗分為導通損耗和開關損耗。
低側導通損耗大致計算如下：
其中，系數 1.3 用于考慮 MOSFET 導通電阻因發熱而出現的增加。或者，使用 MOSFET 數據表中的 RDS(ON) 與溫度曲線來估算 MOSFET 的高溫導通電阻。
在低側 MOSFET 導通和關斷時的短暫轉換期間發生開關損耗。在轉換期間，MOSFET 器件的溝道中同時出現電流和電壓。低側開關損耗大致計算如下：
tR 和 tF 是低側 MOSFET 的上升和下降時間。上升和下降時間通常在 MOSFET 數據表中提及，也可利用示波器根據經驗觀察到。
高側 MOSFET 的反向恢復會增加低側 MOSFET 的下降時間和導通電流，從而導致更高的導通損耗。
可以與低側 MOSFET 并聯一個額外的肖特基二極管，并使源極和漏極具有短的連接，從而更大限度地減少 SW 節點處的負電壓尖峰。