ZHCSPB7B December 2024 – April 2025 LM5125-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規格
-
6 詳細說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 器件配置（CFG0 引腳、 CFG1 引腳、CFG2 引腳）
- 6.3.2 器件和相位啟用/禁用（UVLO/EN、EN2）
- 6.3.3 開關頻率和同步 (SYNCIN)
- 6.3.4 雙隨機展頻 (DRSS)
- 6.3.5 運行模式（BYPASS、DEM、FPWM）
- 6.3.6 VCC 穩壓器，BIAS（BIAS 引腳、VCC 引腳）
- 6.3.7 軟啟動（SS 引腳）
- 6.3.8 VOUT 編程（VOUT、ATRK、DTRK）
- 6.3.9 保護功能
- 6.3.10 電源正常狀態指示器（PGOOD 引腳）
- 6.3.11 斜率補償（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
- 6.3.12 電流檢測設置和開關峰值電流限制（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
- 6.3.13 輸入電流限制和監測（ILIM、IMON、DLY）
- 6.3.14 最大占空比和最小可控導通時間限制
- 6.3.15 信號抗尖峰脈沖概述
- 6.3.16 MOSFET 驅動器、集成式自舉二極管和斷續模式故障保護（LOx、HOx、HBx 引腳）
- 6.4 器件功能模式
-
7 應用和實施
- 7.1 應用信息
- 7.2
典型應用
- 7.2.1 應用
- 7.2.2 設計要求
- 7.2.3
詳細設計過程
- 7.2.3.1 確定相位總數
- 7.2.3.2 確定占空比
- 7.2.3.3 定時電阻器 RT
- 7.2.3.4 電感器選型 Lm
- 7.2.3.5 電流檢測電阻器 (RCS)
- 7.2.3.6 電流檢測濾波器 RCSFP、RCSFN、CCS
- 7.2.3.7 低側電源開關 QL
- 7.2.3.8 高側電源開關 QH
- 7.2.3.9 緩沖組件
- 7.2.3.10 Vout 編程
- 7.2.3.11 輸入電流限制 (ILIM/IMON)
- 7.2.3.12 UVLO 分壓器
- 7.2.3.13 軟啟動
- 7.2.3.14 CFG 設置
- 7.2.3.15 輸出電容器 Cout
- 7.2.3.16 輸入電容器 Cin
- 7.2.3.17 自舉電容器
- 7.2.3.18 VCC 電容器 CVCC
- 7.2.3.19 BIAS 電容器
- 7.2.3.20 VOUT 電容器
- 7.2.3.21 環路補償
- 7.2.4 性能數據和結果
- 7.3 電源相關建議
- 7.4 布局
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機械、封裝和可訂購信息
6.3.2 器件和相位啟用/禁用（UVLO/EN、EN2）
在關斷期間，UVLO/EN 引腳被內部電阻器 REN 拉低。當 VUVLO/EN 上升至高于 VEN-RISING 時，REN 被禁用并且 IUVLO/EN（通常為 10μA）電流源會被啟用，以提供 UVLO 功能。此時器件啟動，讀取配置，然后進入 STANDBY 狀態（請參閱 功能狀態圖）。當 VUVLO/EN 上升至高于 VUVLO-RISING 時，IUVLO/EN 電流源會被禁用，并且器件將進入啟動階段 1 和 2 狀態，在 DEM 運行模式下執行軟啟動斜升 VOUT。實現了遲滯 VEN-HYS 和 VUVLO-HYS。根據 方程式 1 和 方程式 2 選擇外部 UVLO 電阻分壓器（RUVLOT 和 RUVLOB）。
需要 UVLO 電容器 (CUVLO)，以防在啟動期間或在低 VI 下，Vi 瞬間降至 VOFF 以下。如果所需的 UVLO 電容器較大，則可以使用額外的串聯 UVLO 電阻 (RUVLOS)，以便在 IUVLO-HYS 禁用時快速升高 UVLO 引腳的電壓。
當 VEN2 上升到高于 VEN2_H 時，啟用第二個相位；當 VEN2下降到低于 VEN2_L 時，禁用第二個相位。在啟動時或啟動前以及運行期間，啟用和禁用第 2 個相位。第二個相位相對于相位 1 存在 180° 相移，以實現超低的輸入和輸出紋波。
由于 UVLO/EN 引腳和 BIAS 引腳之間的 ESD 二極管導通，因此 UVLO/EN 引腳電壓不得超過 BIAS 引腳電壓 +0.3V（請參閱絕對最大額定值）。但是，當通過一個串聯電阻器將電流限制為最大 100μA 時，可以在 UVLO/EN 引腳上施加一個更高的電壓，最高可達 42V（建議運行條件）。
圖 6-1 功能方框圖 UVLO 和 EN
圖 6-2 雙相運行