ZHCSPB7B December 2024 – April 2025 LM5125-Q1
PRODUCTION DATA
通過高側 N 溝道 MOSFET 器件的電阻-電容緩沖網絡減少了開關節點處的振鈴和尖峰。過多的振鈴和尖峰會導致器件運行不穩定，并將噪聲耦合到輸出電壓。最好根據經驗選擇緩沖器的值。首先，確保緩沖器連接的引線長度非常短。電阻值從 5Ω 到 50Ω 開始。增大緩沖電容值可以增強阻尼效果，但此操作也會導致更高的緩沖器損耗。為緩沖電容器選擇一個最小值，該值應在重負載條件下有效抑制開關波形上的尖峰。如果布局經過優化，則可能不需要緩沖器。