ZHCSPB7B December 2024 – April 2025 LM5125-Q1
PRODUCTION DATA
HBx 和 SWx 引腳間的自舉電容器提供柵極電流，在每個導通周期中為高側 MOSFET 器件柵極供電，并為自舉二極管提供恢復電荷。這些電流峰值可達到幾安培。建議使用 0.1μF 的自舉電容器。為 CBST 使用高質量、低 ESR 的陶瓷電容器。為了盡可能地減少布線電感導致的潛在破壞性電壓瞬變，應將 CBST 靠近器件引腳放置。自舉電容器的最小值計算如下，
其中
在此示例中，自舉電容器 (CBST) 的值為 0.1μF。