ZHCSPB7B December 2024 – April 2025 LM5125-Q1
PRODUCTION DATA
LM5125-Q1 是一款具有寬輸入范圍的雙相升壓控制器。如果輸入電壓等于或小于調(diào)節(jié)后的輸出電壓，則該器件會(huì)提供穩(wěn)定的輸出電壓。電阻數(shù)字轉(zhuǎn)換 (R2D) 接口使用戶可以簡(jiǎn)單而可靠地選擇器件功能。
運(yùn)行期間，可以通過引腳動(dòng)態(tài)選擇 DEM（二極管仿真模式）和 FPWM（強(qiáng)制脈寬調(diào)制）運(yùn)行模式。峰值電流模式控制采用由 RT 引腳設(shè)定的固定開關(guān)頻率運(yùn)行。通過激活雙隨機(jī)展頻運(yùn)行模式，可以在設(shè)計(jì)過程的任何時(shí)間有效降低 EMI。
集成的平均電流監(jiān)測(cè)器有助于監(jiān)測(cè)或限制輸入電流。輸出電壓可在運(yùn)行期間動(dòng)態(tài)調(diào)整（動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)和包絡(luò)跟蹤）。既可通過更改 ATRK/DTRK 引腳的模擬基準(zhǔn)電壓調(diào)整 VOUT，也可以通過在 ATRK/DTRK 引腳上施加 PWM 輸入信號(hào)直接進(jìn)行調(diào)整。
內(nèi)部寬輸入 LDO 能夠在不同的輸入和輸出電壓條件下為器件功能提供可靠的電源。由于具有高驅(qū)動(dòng)能力以及自動(dòng)和基于余量的電壓選擇（VBIAS 或 VOUT），功率損耗保持在最低水平。可以將單獨(dú)的 BIAS 引腳連接到 VI、VOUT 或外部電源，以進(jìn)一步降低器件中的功率損耗。器件始終會(huì)監(jiān)測(cè)內(nèi)部電源電壓，以避免未定義的故障處理。
器件集成了全橋 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。柵極驅(qū)動(dòng)器電路具有高驅(qū)動(dòng)能力，可驅(qū)動(dòng)各種 MOSFET。柵極驅(qū)動(dòng)器具有一個(gè)集成式高壓低壓差自舉二極管。內(nèi)部自舉電路具有一個(gè)由負(fù)尖峰注入的過壓保護(hù)機(jī)制，以及一個(gè)欠壓鎖定保護(hù)機(jī)制，以避免外部功率 FET 出現(xiàn)線性運(yùn)行。集成的電荷泵支持在旁路模式下以 100% 占空比運(yùn)行。
內(nèi)置保護(hù)功能確保在不同的故障條件下安全運(yùn)行。器件具有 VI 欠壓鎖定保護(hù)功能，從而避免出現(xiàn)欠壓情況。在不同的設(shè)計(jì)中可以避免欠壓，因?yàn)檩斎?UVLO 閾值和遲滯通過外部反饋分壓器進(jìn)行配置。該器件還提供輸出過壓保護(hù)。該器件提供可選的斷續(xù)過流保護(hù)功能，通過使用內(nèi)部逐周期峰值電流保護(hù)功能來避免過大的短路電流。由于集成熱關(guān)斷功能，該器件可防止內(nèi)部 VCC 穩(wěn)壓器過載情況造成熱損壞。所有與輸出相關(guān)的故障事件都在開漏 PGOOD 引腳上進(jìn)行監(jiān)測(cè)和指示。