ZHCSXG5 July 2024 DRV8962-Q1
PRODUCTION DATA
6.5.3 電流調節
可通過 VREF 電壓 (VVREF) 與 IPROPI 輸出電阻器 (RIPROPI) 設置電流斬波閾值 (ITRIP)?？赏ㄟ^將外部 RIPROPI 電阻器和 VVREF 之間的壓降與內部比較器進行比較來執行此操作。
例如，要將 ITRIP 設為 5A，VVREF 設為 3.3V，RIPROPI 必須為：
RIPROPI = VVREF/(ITRIP x AIPROPI) = 3.3/(5 x 212 x 10–6) = 3.09k?
可以禁用內部電流調節，方法是將 IPROPI 綁定到 GND 并將 VREF 引腳電壓設置為高于 GND 的值（如果不需要電流反饋）。如果需要電流反饋但不需要電流調節，則需要設置 VVREF 和 RIPROPI，使 VIPROPI 永遠不會達到 VVREF 閾值。
DRV8962-Q1 可同時驅動多達四個電阻或電感負載。在將輸出負載接地后，可將負載電流調節至 ITRIP 電平。PWM 關斷時間 (tOFF) 固定為 17μs。固定關斷時間模式允許在外部控制器不介入的情況下使用簡單的電流斬波方案。固定關斷時間模式將支持 100% 占空比的電流調節。
控制負載電流的另外一種方式是逐周期控制模式，在該模式下，必須控制 INx 輸入引腳的 PWM 脈沖寬度。這樣即可通過外部控制器來額外控制電流斬波方案。
下面介紹了驅動高側和低側負載的幾種情況：
電阻負載接地：
只要在消隱時間內有負載電感來減慢電流增加的速度，穩定電流就不會超過 ITRIP。如果 ITRIP 高于 (VM/RLOAD)，則在 INx = 1 時，會將負載電流調節至 VM/RLOAD 電平（如圖 6-3 所示）。
圖 6-3 電阻負載接地，逐周期控制電感負載接地：
應確保在每個周期對電流進行足夠衰減，以防失控和觸發過流保護。
對于圖 6-4 所示的情況，當 INx = 1時，低側 MOSFET 在 IOUT 超過 ITRIP 后，在 tOFF 時間內保持導通狀態。tOFF 后，將再次導通高側 MOSFET，直至 IOUT 再次超過 ITRIP。
圖 6-4 電感負載接地，固定關斷時間電流斬波也可以使用逐周期方法來控制負載。當 INx = 1 時，流經該負載的電流將增加；當 INx = 0 時，流經該負載的電流將衰減。通過適當選擇 INx 脈沖的占空比，可以將電流調節到目標值。圖 6-5 和圖 6-6 顯示了上述情況。
圖 6-5 電感負載接地，逐周期控制在第二種情況中，需要對 INx 引腳的占空比進行調節（T 必須小于 TOFF），從而確保電流不會失控。
圖 6-6 電感負載接地，逐周期控制負載連接至 VM：
可以通過控制 INx 引腳脈沖寬度來控制此類負載：INx = 0 時，電流會增加；INx = 1 時，電流會衰減，如圖 6-7 和圖 6-8 所示。
圖 6-7 電感負載連接至 VM，逐周期控制在這種情況下，需要對 INx 引腳的占空比進行調節，以確保電流不會失控。
圖 6-8 電阻負載接地，逐周期控制