ZHCSXG5 July 2024 DRV8962-Q1
PRODUCTION DATA
此器件的輸出電流和功率損耗能力在很大程度上取決于 PCB 設計和外部系統狀況。本節提供了一些用于計算這些值的指導信息。
此器件的總功率耗散由三個主要部分組成。它們是功率 MOSFET RDS(ON)（導通）損耗、功率 MOSFET 開關損耗和靜態電源電流損耗。盡管其他的一些因素可能會造成額外的功率損耗，但與這三個主要因素相比，這些其他因素通常微不足道。