ZHCSXG5 July 2024 DRV8962-Q1
PRODUCTION DATA
對(duì)于具有高側(cè)再循環(huán)功能的 H 橋，每個(gè) FET 的功率損耗近似值計(jì)算如下：
PHS1 = RDS(ON) × IL2
PLS1 = 0
PHS2 = [RDS(ON) × IL2 × (1 – D)] + [2 × VD × IL × tD × fPWM]
PLS2 = [RDS(ON) × IL2 × D] + [VM × IL × tRF × fPWM]
對(duì)于估算反向負(fù)載電流的功率損耗，可采用相同的公式，僅將 HS1 與 HS2 和 LS1 與 LS2 互換。
在上面的公式中替換以下值：
VM = 24 V
IL = 4A
RDS(ON) = 53mΩ
D = 0.5
VD = 1V
tD = 300ns
tRF = 70ns
fPWM = 20kHz
每個(gè) FET 中的損耗可按以下公式計(jì)算：
PHS1 = 53mΩ × 42 = 0.848W
PLS1 = 0
PHS2 = [53mΩ × 42 × (1 – 0.5)] + [2 × 1V × 4A × 300ns × 20kHz] = 0.472W
PLS2 = [53mΩ × 42 × 0.5] + [24 × 4A × 70ns × 20kHz] = 0.558W
靜態(tài)電流損耗 PQ = 24V × 4mA = 0.096W
PTOT = 2 × (PHS1 + PLS1 + PHS2 + PLS2) + PQ = 2 × (0.848 + 0 + 0.472 + 0.558) + 0.096 = 3.852W