ZHCSXG5 July 2024 DRV8962-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1特性
- 2應(yīng)用
- 3說明
- 4引腳配置和功能
- 5規(guī)格
- 6詳細(xì)說明
- 7應(yīng)用和實(shí)施
- 8器件和文檔支持
- 9機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDW|44
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDW|44
訂購(gòu)信息
7.1.5 驅(qū)動(dòng)無刷直流電機(jī)
DRV8962-Q1 還可用于驅(qū)動(dòng)三相無刷直流 (BLDC) 電機(jī)。DRV8962-Q1 支持對(duì)驅(qū)動(dòng) BLDC 電機(jī)所需的三個(gè)相位進(jìn)行獨(dú)立控制。通過將相應(yīng)的 EN 引腳接地，可在驅(qū)動(dòng) BLDC 電機(jī)時(shí)禁用 DRV8962-Q1 的四個(gè)半橋中的一個(gè)。顯示了 DRV8962-Q1 驅(qū)動(dòng) BLDC 電機(jī)的原理圖。
圖 7-10 使用 DRV8962-Q1 驅(qū)動(dòng) BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng) BLDC 電機(jī)所需的三個(gè)半橋可由六路輸入控制，即 EN1、EN2、EN3 和 IN1、IN2、IN3。
當(dāng) EN1 為低電平時(shí)，OUT1 變?yōu)楦咦杩梗@樣，電流可流經(jīng)高側(cè)和低側(cè) FET 的內(nèi)部體二極管。
當(dāng) EN1 為高電平且 IN1 為低電平時(shí)，OUT1 被驅(qū)動(dòng)為低電平（低側(cè) FET 被啟用）。
當(dāng) EN1 為高電平且 IN1 為高電平時(shí)，OUT1 被驅(qū)動(dòng)為高電平（高側(cè) FET 被啟用）。
同樣，OUT2 和 OUT3 也是如此。
EN4 可以接地，從而永久禁用 OUT4。
必須在輸出引腳后連接至少 30nH 至 100nH 的電感或鐵氧體磁珠。這將有助于防止由于通道間的不匹配（例如，工藝變化、不對(duì)稱的 PCB 布局布線等）造成的任何擊穿。
IPROPI 引腳輸出的電流與流經(jīng)每個(gè)半橋的高側(cè) FET 的電流成正比。最大額定電流下的 IPROPI 輸出精度為 ±3.5 %。
IPROPI = IHS × AIPROPI
應(yīng)將每個(gè) IPROPI 引腳連接至一個(gè)接地的外部電阻器 (RIPROPI)，從而在 IPROPI 引腳上產(chǎn)生一個(gè)比例電壓 (VIPROPI)。這樣即可使用標(biāo)準(zhǔn)模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 將負(fù)載電流作為 RIPROPI 電阻器兩端的壓降進(jìn)行測(cè)量。
VIPROPI = IPROPI × RIPROPI
如果對(duì)電流檢測(cè)精度有更高的要求，可以在 PGND 引腳和系統(tǒng)地之間放置外部檢測(cè)電阻。外部檢測(cè)電阻兩端的壓降不應(yīng)超過 300mV。