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ZHCSID2C July 2018 – December 2023 DRV8847

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。

機械數據 (封裝 | 引腳)

PW|16
PWP|16
RTE|16

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

RTE|16
- QFND525B
PWP|16
- PPTD288A

訂購信息

6.5 電氣特性

在建議運行條件下測得（除非另有說明）。T_A = 25°C 且 V_VM = 12V 時，適用典型限值。

參數		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源 (VM)
I_VM	VM 工作電源電流	VM = 2.7V；nSLEEP = 1；INx = 0		2	2.5	mA
		VM = 5V；nSLEEP = 1；INx = 0		3	3.5	mA
		VM = 12V；nSLEEP = 1；INx = 0		3	3.5	mA
I_VMQ	VM 睡眠模式電流	VM = 2.7V；nSLEEP = 0；TA = 25°C		0.1		μA
		VM = 2.7V；nSLEEP = 0；TA = 85°C			0.5	μA
		VM = 5V；nSLEEP = 0；TA = 25°C		0.2		μA
		VM = 5V；nSLEEP = 0；TA = 85°C			1	μA
		VM = 12V；nSLEEP = 0；TA = 25°C		1.7		μA
		VM = 12V；nSLEEP = 0；TA = 85°C			2.5	μA
t_SLEEP	睡眠時間	nSLEEP = 0 以進入睡眠模式		2		μs
t_WAKE	喚醒時間	nSLEEP = 1 至輸出轉換			1.5	ms
t_ON	開通時間	VM > UVLO 至輸出轉換 (nSLEEP = 1)			1.5	ms
邏輯電平輸入（IN1、IN2、IN3、IN4、NSLEEP、TRQ、SCL、SDA）
V_IL	輸入邏輯低電平電壓	VM < 7 V	0		0.6	V
V_IL	輸入邏輯低電平電壓	VM >= 7V ⁽¹⁾	0		1.0	V
V_IH	輸入邏輯高電平電壓		1.6		5.5	V
V_HYS	輸入邏輯遲滯	nSLEEP 引腳	40			mV
V_HYS	輸入邏輯遲滯	IN1、IN2、IN3、IN4、TRQ、SCL 引腳	100			mV
VIL	nSLEEP		0		0.6	V
VIH	nSLEEP		1.6		5.5	V
VHYS	nSLEEP		40			mV
I_IL	輸入邏輯低電平電流	V_IN = 0V	-1		1	μA
I_IH	輸入邏輯高電流	IN1、IN2、IN3、IN4、TRQ、V_IN = 5V	18		35	μA
I_IH	輸入邏輯高電流	nSLEEP，V_IN = 最小值（VM，5V）	10		25	μA
t_PD	傳播延遲	INx 邊沿到輸出	100	400	600	ns
t_DEGLITCH	輸入邏輯抗尖峰			50		ns
三電平輸入（MODE）
V_IL	三電平輸入邏輯低電平電壓		0		0.6	V
V_IZ	三電平輸入高阻抗電壓			1.2		V
V_IH	三電平輸入邏輯高電平電壓		1.6		5.5	V
I_IL	三電平輸入邏輯低電平電流	V_IN = 0V	-9		-4	μA
I_IH	三電平輸入邏輯高電平電流	V_IN = 5V	8		25	μA
開漏輸出 (nFAULT)
V_OL	輸出邏輯低電壓	I_OD = 5mA			0.5	V
I_OH	輸出邏輯高電流	V_OD = 3.3 V	-1		1	μA
開漏輸出 (SDA)
V_OL	輸出邏輯低電壓	I_OD = 5mA			0.5	V
I_OH	輸出邏輯高電流	V_OD = 3.3 V	-1		1	μA
C_B	每個總線的容性負載				400	pF
驅動器輸出（OUT1、OUT2、OUT3、OUT4）
R_{DS(ON)_HS}	高側 MOSFET 導通電阻	V_VM = 2.7V；I_OUT = 0.5A；T_A = 25°C		690		mΩ
		V_VM = 2.7V；I_OUT = 0.5A；T_A = 85°C			950	mΩ
		V_VM = 5V；I_OUT = 0.5A；T_A = 25°C		530		mΩ
		V_VM = 5V；I_OUT = 0.5A；T_A = 85°C			740	mΩ
		V_VM = 12V；I_OUT = 0.5A；T_A = 25°C		520		mΩ
		V_VM = 12V；I_OUT = 0.5A；T_A = 85°C			700	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低側 MOSFET 導通電阻	V_VM = 2.7V；I_OUT = 0.5A；T_A = 25°C		570		mΩ
		V_VM = 2.7V；I_OUT = 0.5A；T_A = 85°C			900	mΩ
		V_VM = 5V；I_OUT = 0.5A；T_A = 25°C		460		mΩ
		V_VM = 5V；I_OUT = 0.5A；T_A = 85°C			690	mΩ
		V_VM = 12V；I_OUT = 0.5A；T_A = 25°C		450		mΩ
		V_VM = 12V；I_OUT = 0.5A；T_A = 85°C			680	mΩ
I_OFF	關斷狀態漏電流	V_VM = 5V；T_J = 25°C；V_OUT = 0V	-1		1	μA
t_RISE	輸出上升時間	V_VM = 12V；I_OUT = 0.5A		150		ns
t_FALL	輸出下降時間	V_VM = 12V，I_OUT = 0.5A		150		ns
t_DEAD	輸出死區時間	內部死區時間		200		ns
V_SD	體二極管正向電壓	I_OUT = 0.5A		1.1		V
PWM 電流控制（ISEN12、SEN34）
V_TRIP	ISENxx 跳變電壓	100% 時的轉矩 (TRQ = 0)	140	150	160	mV
V_TRIP	ISENxx 跳變電壓	50% 時的轉矩 (TRQ = 1)	63.75	75	86.25	mV
t_BLANK	電流檢測消隱時間			1.8		μs
t_OFF	電流控制恒定關斷時間			20		μs
保護電路
V_UVLO	電源欠壓鎖定	電源上升			2.7	V
V_UVLO	電源欠壓鎖定	電源下降	2.4			V
V_{UVLO_HYS}	電源欠壓遲滯	上升至下降閾值		50		mV
t_UVLO	電源欠壓抗尖峰脈沖時間	VM 下降；UVLO 報告		10		μs
I_OCP	過流保護跳變點⁽²⁾		1.6	2		A)
t_OCP	過流保護抗尖峰脈沖時間	V_VM < 15V		3		μs
t_OCP	過流保護抗尖峰脈沖時間	V_VM >= 15V		1		μs
t_RETRY	過流保護重試時間			1		ms
I_{OL_PU}	開路負載上拉電流	OUTx 引腳上 < 15nF，V_VM = 2.7V		100		μA
I_{OL_PU}	開路負載上拉電流	OUTx 引腳上 < 15nF		200		μA
I_{OL_PD}	開路負載下拉電流	OUTx 引腳上 < 15nF，V_VM = 2.7V		130		μA
I_{OL_PD}	開路負載下拉電流	OUTx 引腳上 < 15nF		230		μA
I_OL	開路負載上拉和下拉電流			230		μA
V_{OL_HS}	開路負載檢測閾值（高側）	V_VM = 2.7 V		1.3		V
V_{OL_HS}	開路負載檢測閾值（高側）			2.3		V
V_{OL_LS}	開路負載檢測閾值（低側）	V_VM = 2.7 V		0.67		V
V_{OL_LS}	開路負載檢測閾值（低側）			1.2		V
V_OL	開路負載檢測閾值電壓			1.1		V
T_TSD	熱關斷溫度		150	160	180	°C
T_HYS	熱關斷遲滯			40		°C
V_{b_BJT_27C}	OTS 中 BJT 的基極電壓（12V 電源下的測試焊盤輸出）

(1) 取決于具體的設計和特性

(2) V_M > 16.5V 時，OUTx 上的輸出電流必須限制為 4A