ZHCSID2C July 2018 – December 2023 DRV8847
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
DRV8847 器件中的功率耗散主要由輸出 FET 電阻 (RDS(ON)_HS 和 RDS(ON)_LS) 中耗散的直流功率決定。由于 PWM 開關(guān)損耗,會(huì)消耗額外的功率。這些損耗取決于 PWM 頻率、上升和下降時(shí)間以及 VM 電源電壓。這些開關(guān)損耗通常約為直流功率耗散的 10% 至 30%。
使用方程式 33 來估算一個(gè) H 橋的直流功率耗散。

其中
RDS(ON)_HS 和 RDS(ON)_LS 的值隨著溫度的升高而增加。因此,隨著器件發(fā)熱,功率耗散也會(huì)增加。在確定散熱器的大小時(shí)必須考慮這種關(guān)系。