ZHCSZ33 October 2025 DRV8311-Q1
PRODUCTION DATA
該器件針對 MOSFET 的跨導提供全面保護。通過插入死區時間 (tDEAD),可在運行高側和低側 MOSFET 時避免產生任何擊穿電流。這是通過檢測高側和低側 MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 并保持高側 MOSFET 的 VGS 已達到低于關斷電平,然后再打開同一半橋的低側 MOSFET 來實現的,如圖 7-20 和圖 7-21 所示。圖 7-21 中顯示的高側和低側 MOSFET 的 VGS(VGS_HS 和 VGS_LS)是器件內部信號。