ZHCSZ33 October 2025 DRV8311-Q1
PRODUCTION DATA
DRV8311-Q1 為集成式 MOSFET 驅動器,適用于 3 相電機驅動應用。高側和低側 FET 的導通狀態電阻和為 210mΩ(典型值)。該器件通過集成三個半橋 MOSFET、柵極驅動器、電荷泵、電流檢測放大器以及用于外部負載的線性穩壓器,降低了系統元件數量、成本和復雜性。對于 DRV8311S-Q1,標準的串行外設接口 (SPI) 提供了一種簡單的方法,可通過外部控制器配置各種器件設置和讀取故障診斷信息。對于 DRV8311H-Q1,硬件接口 (H/W) 允許通過固定外部電阻器來配置常用的設置。對于 DRV8311P-Q1,德州儀器 (TI) SPI (tSPI) 能夠配置各種器件設置并調整 PWM 占空比和頻率,以一次控制多個電機。
該架構使用內部狀態機來防止發生短路事件,并防止內部功率 MOSFET 發生 dV/dt 寄生導通。
DRV8311-Q1 器件集成了三個雙向低側電流分流放大器,旨在使用內置電流檢測來監測流過每個半橋的電流,不需要外部電流感應電阻器??赏ㄟ^ SPI、tSPI 或硬件接口調整分流放大器的增益設置。
除了高度的器件集成之外,DRV8311-Q1 器件還提供廣泛的集成保護功能。這些功能包括電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓鎖定 (CPUV)、過流保護 (OCP)、AVDD 欠壓鎖定 (AVDD_UV) 和過熱關斷(OTW 和 OTSD)。故障事件由 nFAULT 引腳指示,可在 SPI 和 tSPI 器件版本的寄存器中獲得詳細信息。
DRV8311-Q1 器件采用 0.4mm 引腳間距、WQFN 表面貼裝封裝。WQFN 封裝尺寸為 3.00mm × 3.00mm。