ZHCSZ33 October 2025 DRV8311-Q1
PRODUCTION DATA
對 MOSFET 實施可調柵極驅動電流控制,可以輕松控制轉換率。MOSFET VDS 轉換率是優化輻射發射、二極管恢復尖峰的能量和持續時間以及與寄生效應相關的開關電壓瞬態的關鍵因素。這些壓擺率主要由內部 MOSFET 的柵極電荷的速率決定,如圖 7-18 所示。
在硬件型號中,每個半橋的轉換率可以通過 SLEW 引腳進行調整,在 SPI 器件型號中則使用 SLEW 寄存器位進行調整。轉換率根據 OUTx 引腳電壓的上升時間和下降時間計算得出,如圖 7-19 所示。