ZHCSZ33 October 2025 DRV8311-Q1
PRODUCTION DATA
功率耗散
DRV8311-Q1 中的功率損耗包括待機功率損耗、LDO 功率損耗、FET 導通和開關損耗以及二極管損耗。FET 導通損耗在 DRV8311-Q1 的總功率耗散中占主導地位。在啟動和故障情況下，輸出電流遠大于正常電流；務必將這些峰值電流及持續時間考慮在內?？偲骷纳⑹侨齻€半橋中每個半橋耗散的總功率。器件可耗散的最大功率取決于環境溫度和散熱。請注意，RDS,ON 隨溫度升高而增加，因此隨著器件發熱，功率耗散也會增大。在設計 PCB 和散熱時，應考慮這一點。
表 9-3 列出了梯形控制和場定向控制的每個損耗計算公式的摘要。
| 損耗類型 | 梯形控制 | 場定向控制 |
|---|---|---|
| 待機功耗 | Pstandby = VVM x IVM_TA | |
| LDO（來自 VM） | PLDO = (VVIN_AVDD - VAVDD) x IAVDD | |
| FET 導通 | PCON = 2 x (IPK(trap))2 x RDS,ON(TA) | PCON = 3 x (IRMS(FOC))2 x RDS,ON(TA) |
| FET 開關 | PSW = IPK(trap) x VPK(trap) x trise/fall x fPWM | PSW = 3 x IRMS(FOC) x VPK(FOC) x trise/fall x fPWM |
| 二極管（死區時間） | Pdiode = 2 x IPK(trap) x VF(diode) x tDEAD x fPWM | Pdiode = 6 x IRMS(FOC) x VF(diode) x tDEAD x fPWM |
結溫估算
要根據功率損耗計算芯片的結溫，請使用方程式 17。請注意，熱阻 RθJA 取決于 PCB 配置，例如環境溫度、PCB 層數、覆銅厚度以及 PCB 尺寸。
請參閱 BLDC 集成 MOSFET 熱計算器估算不同用例中的近似器件功率耗散和結溫。