ZHCSZ02 October 2025 DRV7167
ADVANCE INFORMATION
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| POWER STAGE_DRV7167A | ||||||
| RDS(ON)HS | 高側 GaN FET 導通電阻 | LI=0V，HI=GVDD=5V，BOOT-HS=5V，I(VM-OUT)=16A，TJ = 25℃ | 2.3 | 3.1 | mΩ | |
| RDS(ON)LS | 低側 GaN FET 導通電阻 | LI=GVDD=5V，HI=0V，BOOT-HS=5V，I(OUT-PGND)=16A，TJ = 25℃ | 2.2 | 3 | mΩ | |
| VSD | GaN 源極至漏極第三象限導通壓降 | ISD = 500mA，VM 懸空，VGVDD = 5V，HI = LI = 0V | 1.5 | V | ||
| IL-VM-OUT | 高側 GaN FET 和低側 GaN FET 關斷時從 VM 到 OUT 的漏電流 | VM = 80V，OUT=0V，HI = LI = 0V，VGVDD = 5V，TJ=25℃ | 10 | 150 | μA | |
| IL-VM-OUT | 高側 GaN FET 和低側 GaN FET 關斷時從 VM 到 OUT 的漏電流 | VM = 80V，OUT=0V，HI = LI = 0V，VGVDD = 5V，TJ=90℃ | 20 | 300 | μA | |
| IL-OUT-GND | 高側 GaN FET 和低側 GaN FET 關斷時從 OUT 到 GND 的漏電流 | OUT = 80V，HI = LI = 0V，VGVDD = 5V，TJ=25℃ | 10 | 150 | μA | |
| IL-OUT-GND | 高側 GaN FET 和低側 GaN FET 關斷時從 OUT 到 GND 的漏電流 | OUT = 80V，HI = LI = 0V，VGVDD = 5V，TJ=90℃ | 20 | 300 | μA | |
| CISS | 高側或低側 HEMT 的輸入電容 | VDS=50V，VGS= 0V (HI = LI = 0V)，TJ=25℃ | 1700 | pF | ||
| COSS | 高側 GaN FET 或低側 GaN FET 的輸出電容 | VDS=50V，VGS= 0V (HI = LI = 0V)，TJ=25℃ | 570 | pF | ||
| COSS(ER) | 高側 GaN FET 或低側 GaN FET 的輸出電容 - 能量相關 | VDS=0 至 50V，VGS= 0V (HI = LI = 0V)，TJ=25℃ | 700 | pF | ||
| COSS(TR) | 高側 GaN FET 或低側 GaN FET 的輸出電容 - 時間相關 | VDS=0 至 50V，VGS= 0V (HI = LI = 0V)，TJ=25℃ | 880 | pF | ||
| CRSS | 高側或低側 HEMT 的反向傳輸電容 | VDS=50V，VGS= 0V (HI = LI = 0V)，TJ=25℃ | 4.3 | pF | ||
| QG | 高側或低側 HEMT 的總柵極電荷 | VDS=50V，ID= 16A，VGS= 5V，TJ=25℃ | 12 | nC | ||
| QGD | 高側或低側 HEMT 的柵漏極電荷 | VDS=50V，ID= 16A，TJ=25℃ | 1.2 | nC | ||
| QGS | 高側或低側 HEMT 的柵源極電荷 | VDS=50V，ID= 16A，TJ=25℃ | 3.9 | nC | ||
| QOSS | 輸出電荷（高側 HEMT、低側 HEMT 和柵極驅動器高壓阱電荷的總和） | VDS=50V，ID= 16A，TJ=25℃ | 90 | nC | ||
| QRR | 源極至漏極反向恢復電荷 | 0 | nC | |||
| tHIPLH | 傳播延遲：HI 上升(2) | LI=0V，GVDD=5V，BOOT-HS=5V，VM=48V | 15 | 25 | ns | |
| tHIPHL | 傳播延遲：HI 下降(2) | LI=0V，GVDD=5V，BOOT-HS=5V，VM=48V | 15 | 25 | ns | |
| tLIPLH | 傳播延遲：LI 上升(2) | HI=0V，GVDD=5V，BOOT-HS=5V，VM=48V | 15 | 25 | ns | |
| tLIPHL | 傳播延遲：LI 下降(2) | HI=0V，GVDD=5V，BOOT-HS=5V，VM=48V | 15 | 25 | ns | |
| tMON | 延遲匹配：LI 高和 HI 低(2) | 2 | 5 | ns | ||
| tMOFF | 延遲匹配：LI 低和 HI 高(2) | 2 | 5 | ns | ||
| tPW | 可改變輸出的最小輸入脈沖寬度 | 10 | ns | |||
| 輸入引腳（ENIN/HI、PWM/LI、EN） | ||||||
| VIH | 高電平輸入電壓閾值 | 上升沿 | 2.1 | V | ||
| VIL | 低電平輸入電壓閾值 | 下降沿 | 1.2 | V | ||
| VHYS | 上升和下降閾值之間的遲滯 | 300 | mV | |||
| RI | 輸入下拉電阻 | 200 | 300 | 500 | k? | |
| 輸出引腳 (ZVDx) | ||||||
| VOL | 低電平輸出電壓 | IOL = 3mA | 0.25 | V | ||
| VOH | 高電平輸出電壓 | IOL = -1.5mA 至 0mA | 2.6 | 3.5 | V | |
| 欠壓/過壓保護 | ||||||
| VGVDDR | VGVDD 上升沿閾值 | 上升 | 3.3 | 3.6 | 3.9 | V |
| VGVDDF | VGVDD 下降沿閾值 | 3.1 | 3.4 | 3.7 | V | |
| VGVDD(hyst) | VGVDD UVLO 閾值遲滯 | 200 | mV | |||
| VBOOTR | BOOT 上升沿閾值 | 上升 | 3.3 | 3.6 | 3.9 | V |
| VBOOTF | BOOT 下降沿閾值 | 3.1 | 3.4 | 3.7 | V | |
| VBOOT(hyst) | BOOT UVLO 閾值遲滯 | 200 | mV | |||
| VBOOTth | BOOT 調節電壓閾值 | 4.5 | 5.3 | V | ||
| tPWRUP | 數字復位后的上電時間 | 50 | μs | |||
| 同步自舉 | ||||||
| VDH | 正向壓降 | IVDD-BOOT = 5mA | 40 | mV | ||
| IVDD-BOOT = 50mA | 400 | mV | ||||
| tSS | BOOT 上電時間（LI=高電平） | CBOOT = 220nF | 2.2 | μs | ||
| tSS | BOOT 上電時間（LI=高電平） | CBOOT = 1μF | 10 | μs | ||
| 電源電流 | ||||||
| IGVDD | GVDD 靜態電流 | LI = HI = 0V，GVDD = 5V，EN=0 | 0.3 | mA | ||
| IGVDD | GVDD 靜態電流 | LI = HI = 0V，GVDD = 5V | 0.9 | 3.5 | mA | |
| IGVDD | GVDD 靜態電流 | LI=GVDD=5V，HI=0V | 1.8 | 7 | mA | |
| IGVDDO | 總 GVDD 工作電流 | f = 500kHz，50% 占空比，VM = 48V | 12 | 15 | mA | |
| IBOOT | BOOT 靜態電流 | LI = HI = 0V，GVDD = 5V，BOOT-HS = 5V | 0.5 | 1 | mA | |
| IBOOT | BOOT 靜態電流 | LI=0V，HI=GVDD=5V，BOOT-HS=5V，VM=48V | 0.8 | 3.5 | mA | |
| IBOOTO | BOOT 工作電流 | f = 500kHz，50% 占空比，GVDD = 5V，BOOT-HS = 5V，VM = 48V | 5.6 | 8 | mA | |
| 壓擺率控制（有效柵極電阻） | ||||||
| Rgfh | RDHF = 0? | 驅動器 FET 上的電壓 = 1.2V | 0.3 | ? | ||
| RDHF = 4k? | 1.3 | |||||
| RDHF = 8k? | 2.6 | |||||
| RDHF =16k? | 5.3 | |||||
| Rgfl | RDLF = 0? | 驅動器 FET 上的電壓 = 1.2V | 0.3 | ? | ||
| RDLF = 4k? | 1.3 | |||||
| RDLF = 8k? | 2.6 | |||||
| RDLF =16k? | 5.3 | |||||
| Rgrh | RDHR = 0? | 驅動器 FET 上的電壓 = 1.2V | 0.8 | ? | ||
| RDHR = 4k? | 3.6 | |||||
| RDHR = 8k? | 7 | |||||
| RDHR = 16k? | 14 | |||||
| Rgrl | RDLR = 0? | 驅動器 FET 上的電壓 = 1.2V | 0.8 | ? | ||
| RDLR = 4k? | 3.6 | |||||
| RDLR = 8k? | 7 | |||||
| RDLR = 16k? | 14 | |||||
| 死區時間控制 | ||||||
| tDEAD_MIN | 最小死區時間 | DLH、DHL = 0?；最小死區時間設置。 | 5 | 7.5 | 10 | ns |
| tDEAD_MAX | 最大死區時間 | DLH、DHL = 100k?；最大死區時間設置。 | 32 | 40 | 48 | ns |
| OCP | ||||||
| VDSAT | 飽和保護電壓閾值 | 0.75 | V | |||
| tBLANK | VDSAT 檢測的消隱時間 | 38 | 60 | 88 | ns | |
| tSATFLT | 在消隱時間結束后檢測到 VDS 過壓時，觸發 FLT 指示的時間 | 28.7 | ns | |||
| ZVD 輸出（低電平有效） | ||||||
| VTHRESH_ZVD | ZVD 檢測器閾值 | 0.8 | 1.0 | V | ||
| t3RD_ZVD | 可由 ZVD 檢測器檢測到的最小第三象限時間（低側） | 對于一個 0 到 -1.5V 再到 0 的脈沖，上升/下降時間為 100ps | 6 | 10 | 14 | ns |
| t3RD_ZVD | 可由 ZVD 檢測器檢測到的最小第三象限時間（高側） | 對于一個 0 到 -1.5V 再到 0 的脈沖，上升/下降時間為 100ps | 6 | 10 | 14 | ns |
| tDLY_ZVD_L | VTHRESH_ZVD 突破閾值與 ZVD 輸出變為低電平之間的延遲 | 對于一個 0 到 -1.5V 再到 0 的脈沖，上升/下降時間為 100ps |
20 | 30 | ns | |
| tDLY_ZVD_H | VTHRESH_ZVD 突破閾值與 ZVD 輸出變為低電平之間的延遲 | 對于一個 0 到 -1.5V 再到 0 的脈沖，上升/下降時間為 100ps |
20 | 30 | ns | |
| tWD_ZVD | ZVD 脈沖寬度 | 對于一個 0 到 -1.5V 再到 0 的脈沖，上升/下降時間為 100ps |
40 | 65 | 95 | ns |
| OTD | ||||||
| OTD+ | 過熱檢測高閾值 | 145 | 165 | 182 | ℃ | |
| OTD- | 過熱檢測高閾值 | 135 | 154 | 170 | ℃ |
|
| OTDHYS | 過熱檢測高閾值 | 12 | ℃ |
|||
| FAULT | ||||||
| IFLT | 故障引腳下拉電流 | VFLT = 0.4V | 3 | mA | ||
| tFLTDLY | 故障發生后觸發 FLT 指示的時間 | 20 | ns | |||
| tFLT | 最小故障指示時間 | 10 | μs | |||
| tENBLK | FLT 釋放后的時間，在該時間后 EN=0 生效 | 1 | μs | |||