ZHCSZ02 October 2025 DRV7167
ADVANCE INFORMATION
4 引腳配置和功能
圖 4-1 VBN 封裝，18 引腳 VQFN（頂視圖）引腳功能
| 引腳 | I/O(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | ||
| DHL/ZVDL | 1 | IO | 在 PWM 模式下，通過將一個電阻器連接到 AGND 來設置高電平到低電平轉換的死區時間。 在 IIM 模式下，零電壓檢測輸出信號用于指示低側 FET 在當前開關周期中是否實現了零電壓開關。注意：請勿將 ZVDL 連接到 GVDD。 |
| DLH/ZVDH | 2 | IO | 在 PWM 模式下，通過將一個電阻器連接到 AGND 來設置低電平到高電平轉換的死區時間。 在 IIM 模式下，零電壓檢測輸出信號用于指示高側 FET 在當前開關周期中是否實現了零電壓開關。 |
| RDLR | 3 | I | 通過連接到 AGND 的電阻器設置低側 FET 導通的壓擺率控制。 |
| RDLF | 4 | I | 通過連接到 AGND 的電阻器設置低側 FET 關斷的壓擺率控制。 將該引腳懸空以啟用 PWM 模式。 |
| OUT | 5 | P | 開關節點。在內部連接到 HS 引腳。 |
| PGND | 6、17、18 | G | 電源地。低側 GaN FET 源極。內部連接到低側 GaN FET 源極。 |
| VM | 7 | P | 輸入電壓引腳。內部連接到高側 GaN FET 漏極。 |
| RDHF | 8 | I | 通過連接到 HS 的電阻器設置高側 FET 關斷的壓擺率控制。 |
| RDHR | 9 | I | 通過連接到 HS 的電阻器設置高側 FET 導通的壓擺率控制。注意：請勿將 RDHR 引腳懸空。 |
| BOOT | 10 | P | 高側柵極驅動器自舉電源軌。將旁路電容器連接到 HS。 |
| HS | 11 | P | 高側 GaN FET 源極連接。 |
| ENIN/HI | 12 | I | 在 PWM 模式下，為高側和低側 FET 啟用柵極驅動。 在 IIM 模式下，啟用高側柵極驅動器控制輸入。 |
| PWM/LI | 13 | I | 在 PWM 模式下，啟用 PWM 輸入。 在 IIM 模式下，啟用低側柵極驅動器控制輸入。 |
| GVDD | 14 | P | 5V 器件電源。 |
| AGND | 15 | G | 模擬地。內部連接到低側 GaN FET 源極。 |
| EN/FLT | 16 | IO | 芯片使能和故障輸出引腳。通過 4.7kΩ 電阻器連接到微控制器輸出或 GVDD。 |
(1) I = 輸入，O = 輸出，IO = 輸入/輸出，G = 接地，P = 電源