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Rating Catalog Architecture Integrated FET VDS (max) (V) 100 Features Integrated FET Operating temperature range (°C) -40 to 175
Rating Catalog Architecture Integrated FET VDS (max) (V) 100 Features Integrated FET Operating temperature range (°C) -40 to 175
VQFN-FCRLF (VBN) 18 31.5 mm2 7 x 4.5
  • 具有集成驅動器、支持 48V 系統的 100V 半橋 GaN 電機驅動器功率級
  • 低 GaN 導通狀態電阻
    • TA=25°C 時，RDS(ON) 為 2.2mΩ（每個 FET）
  • 實現高效、高密度的功率轉換
    • 高輸出電流能力：70Arms、250A（脈沖式，300μs）
    • 支持高達 500kHz 的 PWM 開關頻率
    • 出色的傳播延遲（典型值 20ns）和匹配（典型值 2ns）
    • 兩個 FET 的導通和關斷壓擺率控制
    • 用于優化軟開關應用中死區時間的零電壓檢測 (ZVD) 報告
    • IO 數量受限的控制器的單 PWM 輸入選項
  • 5V 外部輔助電源
    • 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平
  • 集成式保護功能
    • 獨立輸入模式 (IIM) 下的短路保護
    • 內部自舉電源電壓調節，可防止 GaN FET 過驅動
    • 基于 VDS 監測的逐周期短路保護
    • 過熱、欠壓和短路事件的故障指示
    • 電源軌欠壓鎖定保護
  • 封裝經過優化，便于 PCB 布局
    • 外露式頂部 QFN 封裝，實現頂面散熱
    • 大型 GND 焊盤實現底面散熱
  • 具有集成驅動器、支持 48V 系統的 100V 半橋 GaN 電機驅動器功率級
  • 低 GaN 導通狀態電阻
    • TA=25°C 時，RDS(ON) 為 2.2mΩ（每個 FET）
  • 實現高效、高密度的功率轉換
    • 高輸出電流能力：70Arms、250A（脈沖式，300μs）
    • 支持高達 500kHz 的 PWM 開關頻率
    • 出色的傳播延遲（典型值 20ns）和匹配（典型值 2ns）
    • 兩個 FET 的導通和關斷壓擺率控制
    • 用于優化軟開關應用中死區時間的零電壓檢測 (ZVD) 報告
    • IO 數量受限的控制器的單 PWM 輸入選項
  • 5V 外部輔助電源
    • 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平
  • 集成式保護功能
    • 獨立輸入模式 (IIM) 下的短路保護
    • 內部自舉電源電壓調節，可防止 GaN FET 過驅動
    • 基于 VDS 監測的逐周期短路保護
    • 過熱、欠壓和短路事件的故障指示
    • 電源軌欠壓鎖定保護
  • 封裝經過優化，便于 PCB 布局
    • 外露式頂部 QFN 封裝，實現頂面散熱
    • 大型 GND 焊盤實現底面散熱

DRV7167A 是一款 100V 半橋功率級，具有集成柵極驅動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET。該器件包含兩個 100V GaN FET，它們采用半橋配置并由一個高頻 GaN FET 驅動器驅動。

GaN FET 在功率轉換方面的優勢極為顯著，因為它們的反向恢復為零，而且輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS 都非常小。所有器件均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數。DRV7167A 采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。

無論 GVDD 電壓如何，TTL 邏輯兼容輸入均可支持 3.3V 和 5V 邏輯電平。專有的自舉電壓調節技術確保了增強模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全工作范圍內。該器件支持兩個 FET 的導通和關斷壓擺率控制、與 IO 數量受限的控制器配合使用的單 PWM 模式、短路保護 (SCP)、過熱檢測 (OTD) 以及盡可能縮短第三象限導通時間的零電壓檢測 (ZVD) 報告。

該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了分立式 GaN FET 的優勢。對于需要小尺寸、高頻、高效運行的應用來說，該器件是理想的解決方案。

DRV7167A 是一款 100V 半橋功率級，具有集成柵極驅動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET。該器件包含兩個 100V GaN FET，它們采用半橋配置并由一個高頻 GaN FET 驅動器驅動。

GaN FET 在功率轉換方面的優勢極為顯著，因為它們的反向恢復為零，而且輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS 都非常小。所有器件均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數。DRV7167A 采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。

無論 GVDD 電壓如何，TTL 邏輯兼容輸入均可支持 3.3V 和 5V 邏輯電平。專有的自舉電壓調節技術確保了增強模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全工作范圍內。該器件支持兩個 FET 的導通和關斷壓擺率控制、與 IO 數量受限的控制器配合使用的單 PWM 模式、短路保護 (SCP)、過熱檢測 (OTD) 以及盡可能縮短第三象限導通時間的零電壓檢測 (ZVD) 報告。

該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了分立式 GaN FET 的優勢。對于需要小尺寸、高頻、高效運行的應用來說，該器件是理想的解決方案。
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類型 標題 下載最新的英語版本 日期
* 數據表 DRV7167A 100V 、 70A 半橋 GaN 電機驅動器功率級 數據表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 10月 2日
應用手冊 所選封裝材料的熱學和電學性質 2008年 10月 16日

設計和開發

如需其他信息或資源，請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看（如有）。

參考設計

TIDA-010979 — 具有工業通信功能的 48v 1kw 機器人關節聯合電機控制參考設計

該參考設計采用 TI Sitara? MCU-AM261x 器件，用于處理基于工業以太網連接的電機驅動器。該設計使用直徑為 70mm 的印刷電路板 (PCB) 來驅動人形機器人關節（48V、1kW Eyoubot 電機）。該設計展現了一種外形小巧、簡化的集成式平臺。該平臺包括一個使用三個 DRV7167 半橋 GaN-FET 的高功率密度功率級和一個使用 AM2612 500MHz R5F 核心 MCU 和 AMC0106 功能隔離式 Δ-Σ 調制器的精確實時控制級，通過工業以太網進行高帶寬通信。該設計已通過所有功能測試。目前正在進行系統測試。軟件和完整設計指南將于近期發布。
設計指南: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN-FCRLF (VBN) 18 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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支持和培訓

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