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ZHCSR09A May 2023 – September 2023 AMC131M03-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

DFM|20
- MCSS009

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

9.3 電源相關建議

AMC131M03-Q1 由標稱值為 3.3V（或 5V）±10% 的低側電源 (DVDD) 供電。在盡可能靠近 DVDD 引腳的位置放置一個 1nF 的低 ESR 去耦電容器（圖 9-6 中的 C15），然后放置一個 1μF 電容器 (C16) 以對該電源路徑進行濾波。

低側電源 (DVDD) 是運行 AMC131M03-Q1 所需的唯一外部電源。所有內部電壓電源和次級（高側）電源均由集成直流/直流轉換器和高側 LDO 生成，例如輸出引腳 DCDC_OUT 和 HLDO_OUT 上的電源電壓。

直流/直流轉換器的初級側通過靠近器件且位于 DCDC_CAP 和 DGND 引腳之間的低 ESR 100nF 電容器 (C17) 去耦。除了盡可能靠近器件放置并連接在 DCDC_OUT 和 DCDC_HGND 引腳之間的低 ESR、1nF 電容器 (C1) 之外，使用 1μF 電容器 (C6) 對高側去耦。

為改善 EMI 性能，分別在 DCDC_OUT 和 HLDO_IN 引腳之間 (F1) 與 DCDC_HGND 和 HGND 引腳之間 (F2) 放置一個鐵氧體磁珠。

對于高側 LDO，使用 1nF 的低 ESR 電容器 (C11)，盡可能靠近 AMC131M03-Q1 放置，然后在 HLDO_OUT 和 HGND 引腳之間連接一個 100nF 去耦電容器 (C13)。

高側接地基準 (HGND) 由連接到器件負輸入端 (AIN0N) 的分流電阻器端子提供。為獲得更高直流精度，請使用單獨的引線進行此連接，而不是直接在器件輸入端將 HGND 短接至 AIN0N。

圖 9-6 電源去耦 AMC131M03-Q1

在應用中出現的適用直流偏置條件下，電容器必須能夠提供足夠的有效電容。在實際條件下，通常僅使用 MLCC 標稱電容的一小部分，因此在選擇這些電容器時，必須考慮到這個因素。此問題在低厚度電容器中尤為嚴重，在該類電容器中，電容器越薄，電介質電場強度越大。知名電容器制造商提供了電容與直流偏置關系曲線，這大大簡化了元件選型過程。

表 9-3 列出了適用于 AMC131M03-Q1 的元件。此列表并不是詳盡無遺。可能存在同樣合適（或更好）的其他元件，但這些列出的元件已在 AMC131M03-Q1 的開發過程中得到驗證。

表 9-3 推薦的外部元件

COMP	說明	器件型號	制造商	大小（EIA，L x W）
DVDD
C15	1nF ± 10%，X7R，50V	12065C102KAT2A	AVX	1206，3.2mm x 1.6mm
C16	1μF ± 10%，X7R，25V	12063C105KAT2A	AVX	1206，3.2mm x 1.6mm
直流/直流轉換器
C17	100nF ± 10%，X7R，50V	C0603C104K5RACAUTO	Kemet（基美）	0603，1.6mm x 0.8mm
C1	1nF ± 10%，X7R，50V	C0603C102K5RACTU	Kemet（基美）	0603，1.6mm x 0.8mm
C6	1μF ± 10%，X7R，25V	CGA3E1X7R1E105K080AC	TDK	0603，1.6mm x 0.8mm
F1、F2	鐵氧體磁珠	74269244182	Wurth Elektronik（伍爾特電子）	0402，1.0mm x 0.5mm
HLDO
C24	100nF ± 10%，X7R，50V	C0603C104K5RACAUTO	Kemet（基美）	0603，1.6mm x 0.8mm
C10	1nF ± 10%，X7R，50V	12065C102KAT2A	AVX	1206，3.2mm x 1.6mm
C13	100nF ± 5%，NP0，50V	C3216NP01H104J160AA	TDK	1206，3.2mm x 1.6mm
C11	1nF ± 10%，X7R，50V	12065C102KAT2A	AVX	1206，3.2mm x 1.6mm