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CSD22204W

正在供貨

采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

產(chǎn)品詳情

VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) -0.7 QG (typ) (nC) 18.9 QGD (typ) (nC) 4.2 QGS (typ) (nC) 3.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) -0.7 QG (typ) (nC) 18.9 QGD (typ) (nC) 4.2 QGS (typ) (nC) 3.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm2 1.75 x 1.75
  • 低電阻
  • 小尺寸封裝 1.5mm x 1.5mm
  • 無鉛
  • 柵極靜電放電 (ESD) 保護(hù)
  • 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 無鹵素
  • 柵 - 源電壓鉗位

應(yīng)用范圍

  • 電池管理
  • 電池保護(hù)
  • 負(fù)載開關(guān)應(yīng)用

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 低電阻
  • 小尺寸封裝 1.5mm x 1.5mm
  • 無鉛
  • 柵極靜電放電 (ESD) 保護(hù)
  • 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 無鹵素
  • 柵 - 源電壓鉗位

應(yīng)用范圍

  • 電池管理
  • 電池保護(hù)
  • 負(fù)載開關(guān)應(yīng)用

All trademarks are the property of their respective owners.

這款 –8V、8.2mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件設(shè)計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。 低導(dǎo)通電阻與小型封裝尺寸和超薄特性結(jié)合在一起，使得此器件非常適合于電池供電運(yùn)行的空間受限應(yīng)用。

這款 –8V、8.2mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件設(shè)計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。 低導(dǎo)通電阻與小型封裝尺寸和超薄特性結(jié)合在一起，使得此器件非常適合于電池供電運(yùn)行的空間受限應(yīng)用。

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* 數(shù)據(jù)表 CSD22204W – 8V P 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2015年 3月 27日
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應(yīng)用手冊 MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2022年 8月 29日
更多文獻(xiàn)資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
應(yīng)用手冊 AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日

設(shè)計和開發(fā)

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支持軟件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
MOSFET
CSD13201W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單通道、34mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13202Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、9.3mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13302W — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單路、17.1mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13303W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、20mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13306W — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、10.2mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、76mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13381F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單通道、180mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13383F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、44mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13385F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、19mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD15380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、1460mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD15571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、19.2mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16301Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、29mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16321Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16322Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、5.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16323Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16325Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.2mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16327Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、4.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16340Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16342Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.3mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16403Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、3.7mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16404Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、7.2mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16406Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、7.4mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16407Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、3.3mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16408Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、6.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16409Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、12.4mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16410Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、12mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16411Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、15mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16412Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、16mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16413Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、5.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16414Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16415Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16570Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.82mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17301Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17302Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17303Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17304Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、8.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17305Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17306Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17307Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、12.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17308Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、11.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17309Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17310Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17311Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17312Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17313Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、32mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17318Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、16.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17322Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、12.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17327Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、15.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17381F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單通道、117mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17382F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、67mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17483F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單通道、260mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17484F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、128mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17501Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17505Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17506Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17507Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、10.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17510Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17522Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、8.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17527Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、10.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17551Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17551Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、8.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17552Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17552Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17553Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17555Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17559Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17570Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.92mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、29mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17573Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.45mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17575Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17576Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17577Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17577Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17578Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17578Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17579Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、14.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17579Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、13.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17581Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、4.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17581Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17585F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、33mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18501Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18502KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2.9mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18503KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、4.5mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18503Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18504KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18504Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18509Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.2mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、1.7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、1.7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.96mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18512Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18513Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.4mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18514Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.9mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、4.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532NQ5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18533KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、6.3mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.9mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18534KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、9.5mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9.8mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18535KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18535KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18536KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、1.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18536KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、1.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18537NKCS — 采用 TO-220 封裝的單路、14mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18537NQ5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、13mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18540Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18541F5 — 采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、65mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18542KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18542KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18543Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9.9mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18563Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.8mOhm、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19501KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、6.6mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19503KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、9.2mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19505KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、3.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19505KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、3.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19506KCS — 采用 TO-220 封裝的單通道、2.3mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19506KTT — 采用 D2PAK 封裝的單通道、2.3mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19531KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、7.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19532KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、5.6mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.9mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19533KCS — 采用 TO-220 封裝的單通道、10.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、9.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19534KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、16.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、15.1mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19535KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、3.6mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19535KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、3.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19536KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19536KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19537Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、14.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19538Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、59mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19538Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、61mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22202W15 — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、12.2mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22204W — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22205L — 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22206W — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、5.7mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23202W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、53mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23203W — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、19.4mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23280F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、116mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23285F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、35mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23381F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、175mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23382F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、76mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25202W15 — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、26mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25211W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、33mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25213W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、47mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25304W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、32.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25310Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、23.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25402Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、8.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25404Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25480F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、159mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25481F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單通道、105mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25483F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單通道、245mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25484F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、109mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25485F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、42mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25501F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、76mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
仿真模型

CSD22204W Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM148B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
DSBGA (YZF) 9 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。

支持和培訓(xùn)

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