CSD23382F4

正在供貨

采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

產品詳情

VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 105 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 105 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm2 1.035 x 0.635
  • 低導通電阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小封裝尺寸（0402 外殼尺寸）
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 薄型封裝
    • 最大高度為 0.36mm
  • 集成型 ESD 保護二極管
    • 額定值 > 2kV HBM
    • 額定值 > 2kV CDM
  • 鉛端子鍍層
  • 無鹵素
  • 符合 RoHS
  • 低導通電阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小封裝尺寸（0402 外殼尺寸）
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 薄型封裝
    • 最大高度為 0.36mm
  • 集成型 ESD 保護二極管
    • 額定值 > 2kV HBM
    • 額定值 > 2kV CDM
  • 鉛端子鍍層
  • 無鹵素
  • 符合 RoHS

此 66mΩ、12V P 溝道 FemtoFET™ MOSFET 經過設計和優化，能夠盡可能減小許多手持式和移動應用中的空間占用。這項技術能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時將封裝尺寸減小至少 60%。

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此 66mΩ、12V P 溝道 FemtoFET™ MOSFET 經過設計和優化，能夠盡可能減小許多手持式和移動應用中的空間占用。這項技術能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時將封裝尺寸減小至少 60%。

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更多文獻資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
EVM 用戶指南 Ultra-Small Footprint P-Channel FemtoFET? MOSFET Test EVM 2017年 12月 6日
設計指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

設計和開發

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評估板

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 溝道評估模塊

此 FemtoFET P 溝道 EVM 包含六個子卡，每個子卡包含一個不同的 FemtoFET P 溝道器件型號。? 子卡允許工程師輕松連接和測試這些微型器件。? 六個 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范圍，而這些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

用戶指南: PDF
TI.com 上無現貨
支持軟件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
MOSFET
CSD13201W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單通道、34mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13202Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、9.3mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13302W — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單路、17.1mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13303W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、20mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13306W — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、10.2mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13381F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、180mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13383F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、44mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13385F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、19mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD15380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、1460mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD15571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、19.2mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16301Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、29mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16321Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16322Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、5.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16323Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16325Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.2mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16327Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、4.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16340Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16342Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.3mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16403Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、3.7mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16404Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、7.2mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16406Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、7.4mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16407Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、3.3mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16408Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、6.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16409Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、12.4mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16410Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、12mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16411Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、15mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16412Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、16mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16413Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、5.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16414Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16415Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16570Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.82mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17301Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17302Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17303Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17304Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、8.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17305Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17306Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17307Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、12.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17308Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、11.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17309Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17310Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17311Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17312Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17313Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、32mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17318Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、16.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17322Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、12.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17327Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、15.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17381F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、117mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17382F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、67mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17483F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、260mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17484F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、128mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17501Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17505Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17506Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17507Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、10.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17510Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17522Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、8.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17527Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、10.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17551Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17551Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、8.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17552Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17552Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17553Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17555Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17559Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17570Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.92mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、29mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17573Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.45mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17575Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 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功率 MOSFET CSD18504KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18504Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18509Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.2mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、1.7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、1.7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.96mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18512Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18513Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.4mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18514Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.9mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、4.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532NQ5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18533KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、6.3mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.9mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18534KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、9.5mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9.8mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18535KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18535KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18536KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、1.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18536KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、1.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18537NKCS — 采用 TO-220 封裝的單路、14mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18537NQ5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、13mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18540Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18541F5 — 采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、65mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18542KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18542KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18543Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9.9mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18563Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.8mOhm、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19501KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、6.6mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19503KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、9.2mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19505KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、3.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19505KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、3.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19506KCS — 采用 TO-220 封裝的單通道、2.3mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19506KTT — 采用 D2PAK 封裝的單通道、2.3mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19531KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、7.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19532KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、5.6mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.9mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19533KCS — 采用 TO-220 封裝的單通道、10.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、9.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19534KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、16.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、15.1mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19535KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、3.6mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19535KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、3.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19536KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19536KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19537Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、14.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19538Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、59mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19538Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、61mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22202W15 — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、12.2mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22204W — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22205L — 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22206W — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、5.7mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23202W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、53mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23203W — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、19.4mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23280F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、116mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23285F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、35mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23381F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、175mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23382F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25202W15 — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、26mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25211W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、33mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25213W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、47mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25304W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、32.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25310Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、23.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25402Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、8.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25404Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25480F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、159mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25481F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、105mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25483F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、245mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25484F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、109mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25485F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、42mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25501F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
仿真模型

CSD23382F4 TINA-TI Transient Reference Design

SLPM289.TSC (1045 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
仿真模型

CSD23382F4 TINA-TI Transient Spice Model

SLPM290.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
仿真模型

CSD23382F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM120B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
下載
參考設計

TIDA-00556 — 面向可穿戴設備的基于負載開關的運輸模式參考設計

TIDA-00556 是一款實現低功耗且節省空間的“運輸模式”解決方案，專門面向可穿戴設備和其他可使用簡單的低成本負載開關實現的小型便攜式電子產品。
設計指南: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian

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