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CSD23381F4

正在供貨

采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、175mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

產(chǎn)品詳情

VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 175 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 300 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.14 QGD (typ) (nC) 0.19 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 175 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 300 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.14 QGD (typ) (nC) 0.19 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm2 1.035 x 0.635
  • 超低導(dǎo)通電阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高漏極工作電流
  • 超小封裝尺寸（0402 外殼尺寸）
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型封裝
    • 最大高度：0.36 mm
  • 集成型 ESD 保護二極管
    • 額定值 > 4kV HBM
    • 額定值 > 2kV CDM
  • 無鉛且無鹵素
  • 符合 RoHS
  • 超低導(dǎo)通電阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高漏極工作電流
  • 超小封裝尺寸（0402 外殼尺寸）
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型封裝
    • 最大高度：0.36 mm
  • 集成型 ESD 保護二極管
    • 額定值 > 4kV HBM
    • 額定值 > 2kV CDM
  • 無鉛且無鹵素
  • 符合 RoHS

此 150mΩ、12V P 溝道 FemtoFET™ MOSFET 經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化，能夠盡可能減小許多手持式和移動應(yīng)用中的空間占用。這項技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號 MOSFET 的同時將封裝尺寸減小至少 60%。

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此 150mΩ、12V P 溝道 FemtoFET™ MOSFET 經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化，能夠盡可能減小許多手持式和移動應(yīng)用中的空間占用。這項技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號 MOSFET 的同時將封裝尺寸減小至少 60%。

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技術(shù)文檔

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應(yīng)用手冊 MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2022年 8月 29日
更多文獻資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
技術(shù)文章 The real secret to become a better cook. Integrate smart scale technology in kitch PDF | HTML 2016年 10月 25日
設(shè)計指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

設(shè)計和開發(fā)

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支持軟件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
MOSFET
CSD13201W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單通道、34mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13202Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、9.3mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13302W — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單路、17.1mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13303W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、20mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13306W — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、10.2mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13381F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、180mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13383F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、44mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13385F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、19mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD15380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、1460mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD15571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、19.2mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16301Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、29mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16321Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16322Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、5.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16323Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16325Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.2mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16327Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、4.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16340Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16342Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.3mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16403Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、3.7mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16404Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、7.2mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16406Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、7.4mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16407Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、3.3mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16408Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、6.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16409Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、12.4mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16410Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、12mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16411Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、15mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16412Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、16mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16413Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、5.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16414Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16415Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16570Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.82mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17301Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17302Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17303Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17304Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、8.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17305Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17306Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17307Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、12.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17308Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、11.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17309Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17310Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 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功率 MOSFET CSD17510Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17522Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、8.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17527Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、10.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17551Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17551Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、8.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17552Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17552Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17553Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17555Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17559Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17570Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.92mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、29mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17573Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.45mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17575Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17576Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17577Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17577Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17578Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17578Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17579Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、14.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17579Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、13.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17581Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、4.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17581Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17585F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、33mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18501Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18502KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2.9mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18503KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、4.5mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18503Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18504KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18504Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18509Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.2mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、1.7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、1.7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.96mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18512Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18513Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.4mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18514Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.9mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、4.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532NQ5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18533KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、6.3mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.9mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18534KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、9.5mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9.8mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18535KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18535KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18536KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、1.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18536KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、1.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18537NKCS — 采用 TO-220 封裝的單路、14mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18537NQ5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、13mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18540Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18541F5 — 采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、65mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18542KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18542KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18543Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9.9mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18563Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.8mOhm、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19501KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、6.6mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19503KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、9.2mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19505KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、3.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19505KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、3.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19506KCS — 采用 TO-220 封裝的單通道、2.3mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19506KTT — 采用 D2PAK 封裝的單通道、2.3mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19531KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、7.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19532KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、5.6mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.9mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19533KCS — 采用 TO-220 封裝的單通道、10.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、9.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19534KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、16.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、15.1mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19535KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、3.6mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19535KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、3.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19536KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19536KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19537Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、14.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19538Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、59mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19538Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、61mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22202W15 — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、12.2mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22204W — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22205L — 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22206W — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、5.7mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23202W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、53mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23203W — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、19.4mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23280F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、116mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23285F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、35mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23381F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、175mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23382F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25202W15 — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、26mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25211W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、33mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25213W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、47mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25304W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、32.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25310Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、23.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25402Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、8.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25404Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25480F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、159mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25481F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、105mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25483F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、245mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25484F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、109mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25485F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、42mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25501F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
仿真模型

CSD23381F4 TINA-TI Spice Model (Rev. A)

SLPM091A.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
仿真模型

CSD23381F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. C)

SLPM089C.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下載
參考設(shè)計

TIDA-00179 — 連接至絕對位置編碼器的通用數(shù)字接口參考設(shè)計

TIDA-00179 是符合 EMC 標(biāo)準(zhǔn)的通用數(shù)字接口，可連接 EnDat 2.2、BiSS?、SSI 或 HIPERFACE DSL? 等絕對位置編碼器。此參考設(shè)計支持 15V 至 60V（標(biāo)稱電壓為 24V）的寬輸入電壓范圍。具有 3.3V 邏輯 I/O 信號的連接器支持與 Sitara AM437x 或 Delfino F28379 等主機處理器直接連接，從而運行相應(yīng)的主協(xié)議。

Sitara AM437x（EnDat2.2、BiSS 和 HIPERFACE DSL）或 Delfino DesignDRIVE（EnDat2.2 和 BiSS）提供主器件實現(xiàn)。此設(shè)計支持主機處理器選擇 4 (...)

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參考設(shè)計

TIDA-00765 — 15kg 以上范圍內(nèi)的 1g 分辨率且低于 100nVpp?噪聲的前端參考設(shè)計

TIDA-00765 是一款小于 100nVpp 的模擬前端，適用于基于電阻應(yīng)變計電橋傳感器的重量和振動測量。該器件非常適用于因動態(tài)范圍大而需要高分辨率或有較大重量偏移的電器。由于開關(guān)電源噪聲大、溫度變化快，漂移和干擾是惡劣環(huán)境中的常見問題。該設(shè)計的高集成度、交流激勵和強大的濾波功能可抑制漂移和干擾，以確保在惡劣環(huán)境中保持穩(wěn)定的性能。
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參考設(shè)計

TIDA-00449 — 10 節(jié)電池組的監(jiān)視、平衡與保護

該參考設(shè)計已經(jīng)過測試，用于對電動工具中包含 10 節(jié)串聯(lián)電池的電池組進行監(jiān)控、平衡和保護。越來越多的電動工具使用高功率密度、基于鋰離子或磷酸鐵鋰電池的電池組，我們需要防止這些電池組因充電或放電不當(dāng)而發(fā)生爆炸。TIDA-00449 在以高持續(xù)電流放電時，也符合電動工具電池組的熱要求。
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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

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包含信息：
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