CSD25310Q2

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采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、23.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

產品詳情

VDS (V) -20 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 23.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 32.5 VGSTH typ (typ) (V) -0.85 QG (typ) (nC) 3.6 QGD (typ) (nC) 0.5 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 9.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 23.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 32.5 VGSTH typ (typ) (V) -0.85 QG (typ) (nC) 3.6 QGD (typ) (nC) 0.5 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 9.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DQK) 6 4 mm2 2 x 2
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低導通電阻
  • 低熱阻
  • 無鉛
  • 符合 RoHS
  • 無鹵素
  • SON 2mm × 2mm 塑料封裝
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低導通電阻
  • 低熱阻
  • 無鉛
  • 符合 RoHS
  • 無鹵素
  • SON 2mm × 2mm 塑料封裝

這款 19.9mΩ、–20V P 溝道器件旨在以超薄且具有出色散熱特性的極小封裝提供更低的導通電阻和柵極電荷。該器件將低導通電阻與 SON 2mm × 2mm 塑料封裝的極小封裝尺寸融為一體,堪稱電池供電型空間受限應用的理想之選。

這款 19.9mΩ、–20V P 溝道器件旨在以超薄且具有出色散熱特性的極小封裝提供更低的導通電阻和柵極電荷。該器件將低導通電阻與 SON 2mm × 2mm 塑料封裝的極小封裝尺寸融為一體,堪稱電池供電型空間受限應用的理想之選。

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支持軟件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
MOSFET
CSD13201W10 采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單通道、34mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13202Q2 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、9.3mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13302W 采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單路、17.1mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13303W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、20mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13306W 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、10.2mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13381F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、180mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13383F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、44mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13385F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、19mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD15380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、1460mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD15571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、19.2mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、29mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16321Q5 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16322Q5 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、5.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16323Q3 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16325Q5 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.2mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16327Q3 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、4.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16340Q3 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16342Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.3mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16403Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、3.7mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16404Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、7.2mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16406Q3 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、7.4mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16407Q5 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、3.3mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16408Q5 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、6.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16409Q3 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、12.4mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16410Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、12mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16411Q3 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、15mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16412Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、16mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16413Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、5.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16414Q5 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16415Q5 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16570Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.82mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17301Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17302Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17303Q5 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17304Q3 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、8.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17305Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17306Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17307Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、12.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17308Q3 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、11.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17309Q3 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17310Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17311Q5 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17312Q5 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17313Q2 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、32mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17318Q2 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、16.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17322Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、12.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17327Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、15.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17381F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、117mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17382F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、67mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17483F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、260mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17484F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、128mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17505Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17506Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17507Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、10.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17510Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17522Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、8.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17527Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、10.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17551Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17551Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、8.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17552Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17552Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17553Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17555Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17559Q5 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17570Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.92mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17571Q2 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、29mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17573Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.45mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17575Q3 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17576Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17577Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17577Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17578Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17578Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17579Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、14.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17579Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、13.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17581Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、4.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17581Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17585F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、33mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18502KCS 采用 TO-220 封裝的單路、2.9mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18503KCS 采用 TO-220 封裝的單路、4.5mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18503Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18504KCS 采用 TO-220 封裝的單路、7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18504Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18509Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.2mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510KCS 采用 TO-220 封裝的單路、1.7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510KTT 采用 D2PAK 封裝的單路、1.7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.96mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511KCS 采用 TO-220 封裝的單路、2.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511KTT 采用 D2PAK 封裝的單路、2.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18512Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18513Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.4mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18514Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.9mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532KCS 采用 TO-220 封裝的單路、4.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532NQ5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18533KCS 采用 TO-220 封裝的單路、6.3mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18533Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.9mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18534KCS 采用 TO-220 封裝的單路、9.5mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9.8mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18535KCS 采用 TO-220 封裝的單路、2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18535KTT 采用 D2PAK 封裝的單路、2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18536KCS 采用 TO-220 封裝的單路、1.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18536KTT 采用 D2PAK 封裝的單路、1.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18537NKCS 采用 TO-220 封裝的單路、14mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18537NQ5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、13mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18540Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18541F5 采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、65mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18542KCS 采用 TO-220 封裝的單路、4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18542KTT 采用 D2PAK 封裝的單路、4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18543Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9.9mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18563Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.8mOhm、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19501KCS 采用 TO-220 封裝的單路、6.6mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19503KCS 采用 TO-220 封裝的單路、9.2mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19505KCS 采用 TO-220 封裝的單路、3.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19505KTT 采用 D2PAK 封裝的單路、3.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19506KCS 采用 TO-220 封裝的單通道、2.3mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19506KTT 采用 D2PAK 封裝的單通道、2.3mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19531KCS 采用 TO-220 封裝的單路、7.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19532KTT 采用 D2PAK 封裝的單路、5.6mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.9mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19533KCS 采用 TO-220 封裝的單通道、10.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19533Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、9.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19534KCS 采用 TO-220 封裝的單路、16.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、15.1mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19535KCS 采用 TO-220 封裝的單路、3.6mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19535KTT 采用 D2PAK 封裝的單路、3.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19536KCS 采用 TO-220 封裝的單路、2.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19536KTT 采用 D2PAK 封裝的單路、2.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19537Q3 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、14.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19538Q2 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、59mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19538Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、61mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22202W15 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、12.2mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22204W 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22205L 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22206W 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、5.7mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23202W10 采用 1mm x 1mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、53mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23203W 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、19.4mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23280F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、116mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23285F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、35mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23381F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、175mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23382F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25202W15 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、26mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25211W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、33mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25213W10 采用 1mm x 1mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、47mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25304W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、32.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25310Q2 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、23.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25402Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、8.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25404Q3 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25480F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、159mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25481F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、105mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25483F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、245mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25484F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、109mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25485F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、42mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25501F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
仿真模型

CSD25310Q2 TINA-TI Spice Model

SLPM123.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

CSD25310Q2 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM105B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
參考設計

PMP9491 — 采用高效升壓轉換器的音箱/便攜式揚聲器參考設計。

PMP9491 是一款可用于 15W +15W 立體聲或 30W 低音炮應用的 30W 高效緊湊型便攜式揚聲器/手提音響參考設計。此設計的電源是 1 塊或 2 塊串聯的鋰離子電池。此設計大致分為三個主要級:
  1. 采用 LM3481 控制器 IC 的高效單相非同步升壓轉換器。此設計接受 3.3Vin 至 9Vin 輸入電壓,可實現 12V 輸出,并且能夠為負載提供 2.5A 連續電流。峰值效率高達 95%。
  2. 采用 TPA3118D2 D 類器件的 15W+15W 立體聲音頻放大器。
  3. 極低成本立體聲轉換為低音炮低音輸入。
  4. 電池充電器 bq24133,具有集成式 MOSFET 和電源路徑選擇器的 2.5A (...)
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參考設計

TIDA-00466 — 抗擾電容式接近傳感器系統參考設計

FDC2214 接近和電容感應設計展示了如何使用 TI 的電容感應技術來感應和檢測各種物體是否存在。此設計是一套完整的硬件和固件解決方案。固件通過 FDC2214 處理來自一個接近傳感器和兩個電容觸摸按鈕的數據,以此確定某個物體是否在目標感應區域內。一旦器件檢測到在接近此板的位置有目標或者檢測到按鈕受到按壓,專用彩色 LED 燈就會點亮。此設計由一節 AA 電池供電。
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參考設計

TIDA-00757 — 使用 4 節 AA 電池且電池壽命可達 5 年以上的智能鎖參考設計

隨著越來越多的建筑業主和家庭用戶希望為其物業加裝智能鎖(或電子鎖),電池供電的無線智能鎖在當今市場日益普及。? 在智能鎖應用中,大電流電機和無線電往往會快速消耗電池電量,影響電池壽命。? 更換為多節電池既耗時又成本高昂,因此降低平均電流消耗通常成為關鍵設計考量。
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參考設計

TIDA-01067 — 帶有壓力、濕度和溫度傳感功能的智能風門控制參考設計

本參考設計用于在互聯的采暖、通風和空調 (HVAC) 應用中實現多房間的舒適度控制。通過檢測溫度、濕度和壓力,在每個區域進行獨立監控和氣流調節。該參考設計將定風量 (CAV) 系統轉換為變風量 (VAV) 系統。能夠以無線方式將收集的數據傳輸到智能恒溫器或網關。可以采用板載傳感器,從而實現預測性維護、縮短技術故障排除時間并降低總體能耗。電池壽命長,可支持智能風門運行多年,而無需花費時間和資金進行電池更換。
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參考設計

TIDA-00998 — 適用于高架故障指示燈的能量收集和故障指示燈子系統參考設計

此參考設計展示了多個架構,這些架構可利用從電流互感器 (CT) 或太陽能電池收集能量的二次電池或超級電容器來延長原電池壽命。利用高效的 LED 驅動器來驅動串聯或并聯的LED,以控制光亮強度,實現 360° 的一致可見性,從而完成最佳電源管理。
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參考設計

TIDA-050033 — 智能儀表 PLC 模塊后備電源參考設計

TIDA-050033 參考設計展示了適用于智能儀表 PLC 模塊的備用電源解決方案。通過使用具有成本效益的升壓轉換器 TLV61048,提高最低工作電壓,從而更大限度地提高超級電容器的使用率。可通過選擇更小尺寸(更低電容)的超級電容器減少物料清單 (BOM) 總量。
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參考設計

TIDA-01385 — 帶超級電容器的電流互感器能量收集故障指示器參考設計

在故障指示器設計中,能量收集、緩沖及備用電源的電源管理是關鍵挑戰。TIDA-01385 提出一種從電流互感器獲取能量的電路方案:為故障指示器系統負載供電的同時,將多余能量存儲于超級電容器。系統采用 Li/SOCl2 一次電池作為備用電源,在電網斷電后延長故障指示器工作時間。該參考設計可在 3mA 至 2A 輸入電流范圍內,兩秒內為系統負載提供穩定的 3.6V 電壓。
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參考設計

PMP4496 — 具有快速充電器輸入的 USB-C DRP 移動電源參考設計

PMP4496 是具有單個 USB Type C 雙角色端口 (DRP) 的移動電源參考設計。它能以灌電流或拉電流形式工作。根據附加的外部器件,自動確定角色。還支持快速充電輸入,以節省更多充電時間。
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參考設計

PMP11536 — 具有輸入快速充電器的 USB-C DFP + 5V2A 移動電源參考設計

PMP11536 是一種移動電源參考設計,配有 USB C 型 DFP 以及采用 Maxcharger 升壓模式的 USB A 型端口。還支持快速充電輸入,以節省更多充電時間。它可以自動檢測輸入端口和輸出端口的連接/斷開活動。
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