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CSD25402Q3A

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采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、8.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

產(chǎn)品詳情

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 8.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15.9 VGSTH typ (typ) (V) -0.9 QG (typ) (nC) 7.5 QGD (typ) (nC) 1.1 QGS (typ) (nC) 2.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) -72 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 8.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15.9 VGSTH typ (typ) (V) -0.9 QG (typ) (nC) 7.5 QGD (typ) (nC) 1.1 QGS (typ) (nC) 2.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) -72 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DNH) 8 10.89 mm2 3.3 x 3.3
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低熱阻
  • 低 RDS(on)
  • 無鉛且無鹵素
  • 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 小外形尺寸無引線 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝

應(yīng)用范圍

  • 直流-直流轉(zhuǎn)換器
  • 電池管理
  • 負(fù)載開關(guān)
  • 電池保護(hù)
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低熱阻
  • 低 RDS(on)
  • 無鉛且無鹵素
  • 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 小外形尺寸無引線 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝

應(yīng)用范圍

  • 直流-直流轉(zhuǎn)換器
  • 電池管理
  • 負(fù)載開關(guān)
  • 電池保護(hù)

這款 -20V，7.7mΩ NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成最大限度地減少 SON 3 × 3 封裝內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換負(fù)載管理應(yīng)用中的損耗，此封裝類型針對器件的尺寸提供出色的熱性能。

頂視圖 RθJA = 55°C/W，這是在厚度為 0.060" 的環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2 銅過渡墊片（2 盎司）上測得的典型值。脈寬 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

這款 -20V，7.7mΩ NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成最大限度地減少 SON 3 × 3 封裝內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換負(fù)載管理應(yīng)用中的損耗，此封裝類型針對器件的尺寸提供出色的熱性能。

頂視圖 RθJA = 55°C/W，這是在厚度為 0.060" 的環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2 銅過渡墊片（2 盎司）上測得的典型值。脈寬 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
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技術(shù)文檔

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設(shè)計(jì)和開發(fā)

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支持軟件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
MOSFET
CSD13201W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單通道、34mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13202Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、9.3mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13302W — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單路、17.1mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13303W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、20mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13306W — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、10.2mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、76mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13381F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單通道、180mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13383F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、44mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13385F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、19mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD15380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、1460mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD15571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、19.2mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16301Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、29mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16321Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16322Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、5.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16323Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16325Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.2mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16327Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、4.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16340Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16342Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.3mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16403Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、3.7mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16404Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、7.2mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16406Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、7.4mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16407Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、3.3mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16408Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、6.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16409Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、12.4mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16410Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、12mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16411Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、15mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16412Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、16mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16413Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、5.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16414Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16415Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16570Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.82mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17301Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17302Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17303Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17304Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、8.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17305Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17306Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17307Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、12.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17308Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、11.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17309Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17310Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17311Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17312Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17313Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、32mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17318Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、16.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17322Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、12.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17327Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、15.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17381F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單通道、117mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17382F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、67mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17483F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單通道、260mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17484F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、128mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17501Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17505Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17506Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17507Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、10.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17510Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17522Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、8.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17527Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、10.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17551Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17551Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、8.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17552Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17552Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17553Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17555Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17559Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17570Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.92mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、29mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17573Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.45mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17575Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17576Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17577Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17577Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17578Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17578Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17579Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、14.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17579Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、13.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17581Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、4.7mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17581Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17585F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、33mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18501Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18502KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2.9mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18503KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、4.5mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18503Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18504KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18504Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18509Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.2mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、1.7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、1.7mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18510Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.96mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18511Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18512Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18513Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.4mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18514Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.9mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、4.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532NQ5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18533KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、6.3mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.9mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18534KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、9.5mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9.8mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18535KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18535KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18536KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、1.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18536KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、1.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18537NKCS — 采用 TO-220 封裝的單路、14mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18537NQ5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、13mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18540Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18541F5 — 采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、65mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18542KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18542KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18543Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9.9mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18563Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.8mOhm、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19501KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、6.6mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19503KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、9.2mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19505KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、3.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19505KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、3.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19506KCS — 采用 TO-220 封裝的單通道、2.3mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19506KTT — 采用 D2PAK 封裝的單通道、2.3mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19531KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、7.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19532KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、5.6mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.9mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19533KCS — 采用 TO-220 封裝的單通道、10.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、9.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19534KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、16.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、15.1mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19535KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、3.6mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19535KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、3.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19536KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19536KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19537Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、14.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19538Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、59mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19538Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、61mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22202W15 — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、12.2mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22204W — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22205L — 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22206W — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、5.7mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23202W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、53mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23203W — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、19.4mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23280F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、116mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23285F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、35mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23381F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、175mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23382F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、76mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25202W15 — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、26mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25211W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、33mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25213W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、47mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25304W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、32.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25310Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、23.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25402Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、8.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25404Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25480F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、159mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25481F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單通道、105mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25483F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單通道、245mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25484F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、109mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25485F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、42mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25501F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、76mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
仿真模型

CSD25402Q3A Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM096B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
下載
參考設(shè)計(jì)

TIDA-00179 — 連接至絕對位置編碼器的通用數(shù)字接口參考設(shè)計(jì)

TIDA-00179 是符合 EMC 標(biāo)準(zhǔn)的通用數(shù)字接口，可連接 EnDat 2.2、BiSS?、SSI 或 HIPERFACE DSL? 等絕對位置編碼器。此參考設(shè)計(jì)支持 15V 至 60V（標(biāo)稱電壓為 24V）的寬輸入電壓范圍。具有 3.3V 邏輯 I/O 信號的連接器支持與 Sitara AM437x 或 Delfino F28379 等主機(jī)處理器直接連接，從而運(yùn)行相應(yīng)的主協(xié)議。

Sitara AM437x（EnDat2.2、BiSS 和 HIPERFACE DSL）或 Delfino DesignDRIVE（EnDat2.2 和 BiSS）提供主器件實(shí)現(xiàn)。此設(shè)計(jì)支持主機(jī)處理器選擇 4 (...)

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PMP9769 — 中間電壓較低的汽車緊急呼叫電源參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)包括用于汽車環(huán)境中獨(dú)立緊急呼叫 (eCall) 系統(tǒng)的完整電源管理解決方案。其電路由汽車蓄電池軌直接供電。它還管理一個(gè)在汽車蓄電池軌不可用時(shí)為 eCall 系統(tǒng)供電的備用蓄電池。它提供電源路徑管理，通過此管理功能直接將可用電源軌引至四個(gè)直流/直流轉(zhuǎn)換器，這些轉(zhuǎn)換器再為所需的 eCall 系統(tǒng)功能塊供電。該解決方案經(jīng)過優(yōu)化，能夠在由備用蓄電池供電時(shí)以最高效率運(yùn)行。
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PMP30528 — 適用于電表的超級電容器備用電源參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)能夠在電源中斷期間自動向電表提供備用電壓。當(dāng)輸入電壓介于 10V 至 12V 之間時(shí)，兩個(gè)降壓控制器（TPS62147 和 TPS62173）生成 3.9V (2A) 和 5V (150mA) 電壓?？蛇x同步升壓轉(zhuǎn)換器在 50mA 時(shí)生成 3.3V 電壓。離散充電電路以恒定電流和最高 2.7V 的可調(diào)電壓為超級電容器充電。當(dāng)輸入電壓失效時(shí)，由同步升壓控制器接管并將超級電容器電壓升壓至 3.9V。超級電容器的電容和電壓決定可用的備用電能。此設(shè)計(jì)可提供 3.9V/200mA 的穩(wěn)定備用輸出，持續(xù)約 70 秒，直到輸出電壓下降。
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PMP21103 — 可平穩(wěn)過渡到輔助電源的 5 類 PoE PD (12V/2.5A) 電源參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了符合 IEEE802.3bt 標(biāo)準(zhǔn)的 5 類以太網(wǎng)供電 (PoE) 用電設(shè)備 (PD)，并在 PoE 輸入和連接到輸出的輔助電源之間平穩(wěn)過渡。? 此設(shè)計(jì)包含一個(gè)利用 UCC2897A 控制器的12V/2.5A 有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器，并支持使用一個(gè) PoE 電源設(shè)備 (PSE) 電源和一個(gè)交流/直流壁式適配器輔助電源，從而降低系統(tǒng)斷電和數(shù)據(jù)丟失的可能性。? 符合 IEEE802.3bt 標(biāo)準(zhǔn)的 TPS2373-4 高功率 PD 控制器用于控制所有 PoE 功能。

需要 IEEE802.3bt 就緒型 PSE 控制器？查看 TPS23881。
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TIDA-01586 — 適用于具備日視/夜視功能的 IP 網(wǎng)絡(luò)攝像頭的紅外 LED 照明和 ICR 控制參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)展示適用于具有日視/夜視功能的互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議 (IP) 網(wǎng)絡(luò)攝像頭的紅外 LED 照明子系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有截止濾光片控制、LED 調(diào)光、環(huán)境光測量以及為每條紅外 LED 串的電流鎮(zhèn)流等功能。鎮(zhèn)流是使用單串 LED 驅(qū)動器驅(qū)動多串 LED 陣列，同時(shí)在弱光條件下維持均勻照明的一種替代方法。OPT3001 環(huán)境光傳感器 (ALS) 具備精確的可見光測量功能和良好的紅外抑制功能，是光電二極管、光敏電阻或其他環(huán)境光傳感器的首選理想替代產(chǎn)品。
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參考設(shè)計(jì)

PMP10594 — 效率達(dá) 97% 的 125W 寬輸入同步 4 開關(guān)降壓/升壓電池充電器參考設(shè)計(jì)

PMP10594 是一款采用 LM5175 控制器的同步 4 開關(guān)降壓/升壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)，適用于電池充電器應(yīng)用。此設(shè)計(jì)可通過 PWM 信號在 7.1V 至 9.2V 范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸出電壓設(shè)定點(diǎn)。依托 I2C 編程，即可單獨(dú)控制平均輸入電流和充電電流。滿量程輸入電流限值為 6A，而充電電流可編程至 12.5A。LM5175 平均電流環(huán)路將最大輸出電流設(shè)為 20A，在正常情況下應(yīng)該涉及不到此最大輸出電流。電流模式控制器內(nèi)置額外的逐脈沖限流功能，助力打造耐用設(shè)計(jì)。如果電池電壓低于 6V，則使用電池?cái)嚅_開關(guān)進(jìn)行涓流充電。
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PMP40069 — 帶 5-20Vin 3 節(jié)電池充電器的便攜式 DLP 微型投影儀參考設(shè)計(jì)

PMP40069 是便攜式 DLP 微型投影儀的參考設(shè)計(jì)。同時(shí)配備 3 節(jié)電池充電器。? 電池可在無適配器場景下為投影儀持續(xù)供電。此解決方案采用了 DLPA3000 PMIC/LED 驅(qū)動器、DLPC3438 顯示控制器和 SMBus 電池降壓/升壓充電控制器 BQ25700A。DLPA3000 PMIC 是完全集成的專用 PMIC/LED 驅(qū)動器，提供所有系統(tǒng)模擬電源需求，并可驅(qū)動 0~6 安培 RGB LED。降壓/升壓充電器與 5/9/12/15/20V 輸出適配器兼容。充電器具備高效性能，可為 3 節(jié)電池提供 3A 充電電流。
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參考設(shè)計(jì)

PMP9768 — 中間電壓較高的汽車緊急呼叫電源參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)包括用于汽車環(huán)境中獨(dú)立緊急呼叫 (eCall) 系統(tǒng)的完整電源管理解決方案。其電路由汽車蓄電池軌直接供電。它還管理一個(gè)在汽車蓄電池軌不可用時(shí)為 eCall 系統(tǒng)供電的備用蓄電池。它提供電源路徑管理，通過此管理功能直接將可用電源軌引至四個(gè)直流/直流轉(zhuǎn)換器，這些轉(zhuǎn)換器再為所需的 eCall 系統(tǒng)功能塊供電。該解決方案經(jīng)過優(yōu)化，能夠在由備用蓄電池供電時(shí)以最高效率運(yùn)行。
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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VSONP (DNH) 8 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計(jì)。

支持和培訓(xùn)

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