CSD25480F3

正在供貨

采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、159mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

產品詳情

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 159 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 260 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.7 QGD (typ) (nC) 0.1 QGS (typ) (nC) 0.26 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
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PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm2 0.69 x 0.6
  • 低導通電阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 薄型封裝
    • 最大厚度為 0.36mm
  • 集成型 ESD 保護二極管
  • 無鉛且無鹵素
  • 符合 RoHS
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  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 薄型封裝
    • 最大厚度為 0.36mm
  • 集成型 ESD 保護二極管
  • 無鉛且無鹵素
  • 符合 RoHS

該 -20V、110mΩ P 溝道 FemtoFET™ MOSFET 經過設計和優化，能夠最大限度地減小在許多手持式和移動應用中占用的空間。這項技術能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時大幅減小封裝尺寸。

該 -20V、110mΩ P 溝道 FemtoFET™ MOSFET 經過設計和優化，能夠最大限度地減小在許多手持式和移動應用中占用的空間。這項技術能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時大幅減小封裝尺寸。
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設計和開發

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評估板

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 溝道評估模塊

此 FemtoFET P 溝道 EVM 包含六個子卡，每個子卡包含一個不同的 FemtoFET P 溝道器件型號。? 子卡允許工程師輕松連接和測試這些微型器件。? 六個 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范圍，而這些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

用戶指南: PDF
TI.com 上無現貨
支持軟件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
MOSFET
CSD13201W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單通道、34mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13202Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、9.3mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13302W — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單路、17.1mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13303W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、20mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13306W — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、10.2mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13381F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、180mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13383F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、44mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD13385F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、19mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD15380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、1460mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD15571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、19.2mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16301Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、29mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16321Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16322Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、5.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16323Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16325Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.2mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16327Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、4.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16340Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16342Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.3mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16403Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、3.7mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16404Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、7.2mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16406Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、7.4mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16407Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、3.3mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16408Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、6.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16409Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、12.4mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16410Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、12mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16411Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、15mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16412Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、16mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16413Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、5.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16414Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、2.6mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16415Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16570Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.82mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17301Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17302Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17303Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17304Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、8.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17305Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.6mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17306Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17307Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、12.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17308Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、11.8mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17309Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD17310Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 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功率 MOSFET CSD18532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18533KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、6.3mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.9mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18534KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、9.5mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9.8mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18535KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18535KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18536KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、1.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18536KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、1.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18537NKCS — 采用 TO-220 封裝的單路、14mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18537NQ5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、13mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18540Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18541F5 — 采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、65mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18542KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18542KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18543Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、9.9mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD18563Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.8mOhm、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19501KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、6.6mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19503KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、9.2mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19505KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、3.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19505KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、3.1mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19506KCS — 采用 TO-220 封裝的單通道、2.3mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19506KTT — 采用 D2PAK 封裝的單通道、2.3mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19531KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、7.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19532KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、5.6mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.9mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19533KCS — 采用 TO-220 封裝的單通道、10.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單通道、9.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19534KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、16.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、15.1mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19535KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、3.6mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19535KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、3.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19536KCS — 采用 TO-220 封裝的單路、2.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19536KTT — 采用 D2PAK 封裝的單路、2.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19537Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、14.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19538Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、59mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD19538Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、61mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22202W15 — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、12.2mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22204W — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22205L — 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD22206W — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、5.7mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23202W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、53mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23203W — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、19.4mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23280F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、116mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23285F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、35mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23381F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、175mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD23382F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25202W15 — 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、26mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25211W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、33mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25213W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、47mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25304W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、32.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25310Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、23.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25402Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單通道、8.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25404Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25480F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、159mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25481F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、105mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25483F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單通道、245mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25484F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、109mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25485F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、42mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD25501F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
仿真模型

CSD25480F3 TINA-TI Reference Design

SLPM322.TSC (1196 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
仿真模型

CSD25480F3 TINA-TI Spice Model

SLPM323.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
仿真模型

CSD25480F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM178B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下載
參考設計

TIDA-050039 — 用于鋰離子電池參考設計的單電池太陽能電板的能量收集

TIDA-050039 參考設計演示了如何將完全集成的同步升壓轉換器 TPS61089 與單電池太陽能電池板結合使用，為鋰離子電池充電。它還采用了最大功率點 (MPP) 采樣網絡來動態控制輸入電壓，從而對太陽能電池板的電能傳輸進行優化。
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