另一個需要克服的障礙是放大器中伴隨著較低 I_Q 偏置而增加的自噪聲。如圖 7 所示，在LDO中造成最大噪聲的內部模塊為基準系統(tǒng)（帶隙）、誤差放大器和縮放輸出電壓的電阻分壓器。圖 8 顯示了典型的噪聲曲線與頻率間的關系。這些模塊產生的噪聲主要有兩種類型：

• 熱噪聲（也稱為 4kTR 噪聲），是超低 I_Q 設計中一個需要特別關注的問題，因為它與所使用的電阻呈線性關系。在頻率大于 1kHz 時，誤差放大器和基準模塊中電阻衍生偏置電流以及電阻分壓器中使用的電阻都是熱噪聲的主要產生因素。
• 閃爍噪聲（也稱為 1/f 噪聲），是一種低于 100Hz 的低頻噪聲，可以通過增大基準系統(tǒng)和誤差放大器中差分對的尺寸來減輕。然而，這種較大的尺寸為納米功力設計帶來了障礙，因為這會增大自感泄漏，并增大電容，從而減慢響應時間。

評估給定 I_Q 下所產生噪聲的一種簡單方法是將相關頻率范圍內的積分噪聲與重要工作點處的 I_Q 相乘。通常可以在特定于器件的數(shù)據(jù)表中找到這兩個數(shù)值。