在納米功力穩(wěn)壓器中面積最大的模塊之一是電流基準(zhǔn)，該基準(zhǔn)負(fù)責(zé)生成 1 至 10nA 的偏置支路。電流基準(zhǔn)模塊內(nèi)的電流偏置生成面積由電阻器元件決定。在低值電阻器上施加較小的電壓偏置，可減小電阻器值。在形成基準(zhǔn)偏置電流時(shí)，可以通過一項(xiàng)技術(shù)來生成 ΔV_gst/R 或 ΔV_be/R 電路。

圖 15 顯示了一種巧妙的偏置電流實(shí)現(xiàn)方式，其溫度系數(shù)幾乎為零，通過電阻器 R₁ 和 R_bias之間較小的電壓偏置來創(chuàng)建正負(fù)系數(shù)溫度偏置電流。

這些技術(shù)實(shí)現(xiàn)了更小的無源面積，并有效地縮小了芯片面積。I_Q 乘以最小封裝面積 FOM 是比較此類技術(shù)面積效率的最佳方法。TPS7A02 器件于2019年發(fā)布了 1mm x 1mm 雙平面無引線（Dual Flat No-Lead DQN) 封裝，而其對(duì)應(yīng)的 晶片級(jí)封裝（Wafer Chip Scale Package WCSP) 于 2021 年發(fā)布。LDO 擁有行業(yè)最低的 I_Q-封裝面積-效率 FOM，小于 10 nA-mm²。 圖 16 展示了典型 0402 電容器與為 TPS7A02 提供的 DQN 和 WCSP 封裝的并排比較。

當(dāng)將類似的面積減小技術(shù)應(yīng)用于電源電壓監(jiān)控器時(shí)，面臨的主要挑戰(zhàn)是如何檢測(cè)高于 10V 的電壓并仍然實(shí)現(xiàn)低于 0.5μA 的 I_Q 水平。受控電壓的電容式感應(yīng)與采樣保持技術(shù)相結(jié)合，可以減小芯片面積，并縮短響應(yīng)時(shí)間。TPS3840 毫微功耗高輸入電壓監(jiān)控器具有小于 350nA 的 I_Q，從而實(shí)現(xiàn)了低至 15μs 的復(fù)位傳播延遲，同時(shí)能夠直接監(jiān)控 10V 電壓軌。

節(jié)省電路板面積的有效方法之一是將更多功能集成到單個(gè)芯片上。這種集成使監(jiān)控器、基準(zhǔn)系統(tǒng)、LDO、電池充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器等模塊能夠共享通用構(gòu)建塊，同時(shí)減小總 I_Q 大小。 圖 17 展示了 BQ25125 電池充電管理 IC 通過 I₂C 集成和靈活控制多種低 I_Q 的功能，I2C 為該器件提供了一項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，能夠?qū)⒄麄€(gè)電源管理系統(tǒng)部署到可穿戴設(shè)備、計(jì)量和汽車傳感器物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中。