ZHCY154B September 2021 – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02
解決泄漏和亞閾值操作問題
TI 電源工藝技術采用優化的低功耗設計元件。高密度電阻器和電容器與全新的電路技術相結合，能夠同時減小 IQ 和裸片面積。功率 FET 和數字邏輯提供低泄漏晶體管，同時優化速度；因此，ISHDN 和面積完全不受影響。此外，在較低 VGS-VT 水平下對亞閾值操作進行精確建模（如圖 18 所示），可實現低至皮安/微米的偏置水平的可靠操作。
圖 18 Σ IDS 不匹配百分比與 VGS – VT 之間的關系。