外部電容器泄漏是一個問題。任何穩(wěn)壓器的輸入和輸出電容器都會使 I_Q 增大。圖 19描述了一種評估外部電容器泄漏的好方法，其中針對不同電容器絕緣電阻 (Rp) 規(guī)格測量了電容器的壓降與時間的關(guān)系。撇開數(shù)據(jù)表的規(guī)格來測量電容器的泄漏也不愧是個好主意。將電容器充電至已知電壓并監(jiān)測壓降隨時間的變化可以很好地量化和比較不同的電容器選項。具有最大絕緣電阻的電容器隨時間變化產(chǎn)生的壓降最小。

除電容器泄漏之外，電壓表的輸入阻抗在低 I_Q 測量設(shè)置中也能起到重要的作用，并且可能導(dǎo)致錯誤的結(jié)果。在電源或輸出電壓為 5V 的情況下，典型的 10MΩ 阻抗電壓表放置在電源穩(wěn)壓器的輸入端或輸出端，可產(chǎn)生 500nA 的電流。該外部泄漏比 TPS7A02 LDO 的內(nèi)部自消耗 I_Q (25nA I_Q) 多出 20 倍。

正確的測量方法以及電壓表和電流表的正確放置可以避免測量誤差。 圖 20 顯示了不同測試設(shè)置對效率的影響，在低于 0.1mA 負(fù)載時，這種影響已非常顯著。有關(guān)避免超低 I_Q 測量設(shè)置問題的技巧，請參閱模擬設(shè)計期刊文章精確測量超低 I_Q 器件的效率。