ZHCY154B September 2021 – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02
如何打破低 IQ障礙
優(yōu)化 IQ 需要解決多個(gè)相互沖突的設(shè)計(jì)難題。必須滿足瞬態(tài)響應(yīng)、噪聲和精度方面的所有關(guān)鍵性能規(guī)格，同時(shí)將 IQ 降低幾個(gè)數(shù)量級。在評估性能規(guī)格的優(yōu)缺點(diǎn)之前，必須量化整個(gè)輸出負(fù)載范圍內(nèi)的 IQ 和功率損耗。對于直流/直流開關(guān)轉(zhuǎn)換器，查看負(fù)載電流下的功率效率，而對于 LDO，查看負(fù)載電流下的電流效率。
例如，圖 10 顯示了 TI TPS63900https://www.ti.com/product/TPS63900 降壓/升壓轉(zhuǎn)換器與同類競爭產(chǎn)品的效率對比分析。TPS63900 可在六個(gè)數(shù)量級的負(fù)載電流（最低為 1μA）下保持 80% 以上的效率，峰值效率高達(dá) 96%。
圖 9 以 2D 橫截面 (a) 和布局視圖 (b) 顯示的氧化物變薄導(dǎo)致的寄生低 VT。
圖 10 TPS63900 (a) 和同類競爭產(chǎn)品 (b) 的效率。（來源：TI 和競爭對手?jǐn)?shù)據(jù)表）。