ZHCAFS8 September 2025 UCC57102 , UCC57102-Q1 , UCC57102Z , UCC57102Z-Q1 , UCC57108 , UCC57108-Q1 , UCC57132 , UCC57132-Q1 , UCC57138 , UCC57138-Q1 , UCC57142 , UCC57142-Q1 , UCC57148 , UCC57148-Q1
3.2 負(fù)偏置電源（雙極性驅(qū)動(dòng)）
負(fù)偏置電源是驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的另一項(xiàng)常見要求。在大功率應(yīng)用中，較高的 dv/dt 可能通過(guò) SiC MOSFET 的密勒電容感應(yīng)出電流，進(jìn)而對(duì)柵極充電。SiC MOSFET 可能會(huì)意外導(dǎo)通，引發(fā)毀滅性后果。負(fù)偏置電壓可用于防止尖峰達(dá)到導(dǎo)通閾值，確保 SiC MOSFET 保持關(guān)斷狀態(tài)（此方式也稱為雙極性驅(qū)動(dòng)）。圖 3-2 展示了 2.5V 瞬態(tài)尖峰對(duì)柵源閾值電壓為 2.5V 的 SiC MOSFET 的影響：采用 0V 關(guān)斷會(huì)導(dǎo)致意外導(dǎo)通，而采用 - 5V 關(guān)斷則可確保 SiC MOSFET 保持關(guān)斷。
圖 3-2 關(guān)斷電平對(duì)比