ZHCAFS8 September 2025 UCC57108-Q1
3.2 負偏置電源（雙極性驅動）
負偏置電源是驅動 SiC MOSFET 的另一項常見要求。在大功率應用中，較高的 dv/dt 可能通過 SiC MOSFET 的密勒電容感應出電流，進而對柵極充電。SiC MOSFET 可能會意外導通，引發(fā)毀滅性后果。負偏置電壓可用于防止尖峰達到導通閾值，確保 SiC MOSFET 保持關斷狀態(tài)（此方式也稱為雙極性驅動）。圖 3-2 展示了 2.5V 瞬態(tài)尖峰對柵源閾值電壓為 2.5V 的 SiC MOSFET 的影響：采用 0V 關斷會導致意外導通，而采用 - 5V 關斷則可確保 SiC MOSFET 保持關斷。
圖 3-2 關斷電平對比