檢測到短路事件后，需要安全地關(guān)斷 SiC MOSFET，以更大限度地減少對系統(tǒng)的損壞。

寄生電感可以與快速的 I_D 開關(guān)相互作用，從而在 $(V=L\times \frac{di}{dt})$ SiC MOSFET 兩端產(chǎn)生電壓。在 I_D 處于額定范圍內(nèi)的正常工況下，采用常規(guī)關(guān)斷方式所感應(yīng)的電壓處于 SiC MOSFET 的耐受范圍內(nèi)。但在短路事件中，感應(yīng)電壓可能達(dá)到毀滅性水平，導(dǎo)致 SiC MOSFET 損壞。

軟關(guān)斷設(shè)計通過延長關(guān)斷時間，降低 SiC MOSFET 關(guān)斷過程中的開關(guān)速度。此舉可減小 di/dt，從而將感應(yīng)電壓控制在最低水平。圖 3-5 以曲線形式直觀呈現(xiàn)，當(dāng)通過 UCC5710x 中的 DESAT 保護(hù)檢測到短路時，輸出端如何實現(xiàn)緩慢關(guān)斷的過程。圖中包含與 DESAT 保護(hù)相關(guān)的其他概念性時序特性：t_DESLEB（前沿消隱時間，用于防止 SiC MOSFET 導(dǎo)通瞬態(tài)引起誤觸發(fā)）、t_DESFIL（抗尖峰脈沖濾波時間，防止 SiC MOSFET 導(dǎo)通時因噪聲導(dǎo)致誤觸發(fā)）、t_DES2OUT（達(dá)到 DESAT 閾值與輸出端下降至 90% 之間的時間）、t_DES2FLT（達(dá)到 DESAT 閾值與 FLT 下降之間的時間）。