檢測到短路事件后，需要安全地關斷 SiC MOSFET，以更大限度地減少對系統的損壞。

寄生電感可以與快速的 I_D 開關相互作用，從而在 $(V=L\times \frac{di}{dt})$ SiC MOSFET 兩端產生電壓。在 I_D 處于額定范圍內的正常工況下，采用常規關斷方式所感應的電壓處于 SiC MOSFET 的耐受范圍內。但在短路事件中，感應電壓可能達到毀滅性水平，導致 SiC MOSFET 損壞。

軟關斷設計通過延長關斷時間，降低 SiC MOSFET 關斷過程中的開關速度。此舉可減小 di/dt，從而將感應電壓控制在最低水平。圖 3-5 以曲線形式直觀呈現，當通過 UCC5710x 中的 DESAT 保護檢測到短路時，輸出端如何實現緩慢關斷的過程。圖中包含與 DESAT 保護相關的其他概念性時序特性：t_DESLEB（前沿消隱時間，用于防止 SiC MOSFET 導通瞬態引起誤觸發）、t_DESFIL（抗尖峰脈沖濾波時間，防止 SiC MOSFET 導通時因噪聲導致誤觸發）、t_DES2OUT（達到 DESAT 閾值與輸出端下降至 90% 之間的時間）、t_DES2FLT（達到 DESAT 閾值與 FLT 下降之間的時間）。