去飽和 (DESAT) 保護(hù)是一種基于電壓的短路保護(hù)。圖 3-3 展示了一個(gè)典型的 DESAT 電路。

正常工作狀態(tài)下，當(dāng) SiC MOSFET 導(dǎo)通時(shí)，I_D 會(huì)處于規(guī)格范圍內(nèi)，漏極電壓維持在較低水平 $(V_{DS}=I_D\times R_{DS\left(on\right)})$ 。此時(shí)高壓阻斷二極管 (D_HV) 保處于正向偏置狀態(tài)，使得從 I_CHG 流出的電流（如圖中 VDD 的向下箭頭所示）可以通過 D_HV，而不會(huì)對(duì)消隱電容器 (C_BLK) 充電。

當(dāng)發(fā)生短路時(shí)，過大的 I_D 會(huì)導(dǎo)致漏極電壓上升至高電平。這會(huì)導(dǎo)致 D_HV 進(jìn)入反向偏置狀態(tài)，從而阻斷從 I_CHG 流出的電流。此時(shí)充電電流會(huì)對(duì) C_BLK 充電；當(dāng) C_BLK 兩端電壓超過內(nèi)部 DESAT 電壓閾值 (V_DESAT) 時(shí)，比較器會(huì)指示檢測(cè)到短路。

電容充電所需時(shí)間即為消隱時(shí)間，可通過使用內(nèi)部 V_DESAT 和 I_CHG 在方程式 1 中計(jì)算得出。減小電容容值可縮短 DESAT 保護(hù)的觸發(fā)時(shí)間，這一點(diǎn)在 SiC MOSFET 應(yīng)用中十分實(shí)用。

盡管內(nèi)部 V_DESAT 是由設(shè)計(jì)決定的，但觸發(fā) DESAT 保護(hù)所需的漏極電壓可通過修改 DESAT 引腳與 SiC MOSFET 漏極之間的串聯(lián)元件進(jìn)行調(diào)整，而該漏極電壓可通過方程式 2 計(jì)算得出。V_{DESAT(actual)} 是指觸發(fā) DESAT 的漏極電壓。