為 SiC MOSFET 選擇合適的柵極驅動器時，需重點考慮偏置電壓額定值、峰值電流能力、保護功能、柵極電阻器及功耗等參數。

為了最大限度地降低導通損耗，偏置電壓設定為 20V；同時設定 -5V 的負偏置，以防止瞬態信號導致的誤導通。由上述電壓差值可知，柵極驅動器的 V_DD 要求至少為 25V。

為了最大限度地降低開關損耗，柵極驅動器還必須能夠提供所需的峰值電流以實現目標開關速度。系統對開關速度的要求通常通過壓擺率來表示。在本示例的 PFC 電路中，設計要求明確規定：在 400V 直流母線電壓下，SiC MOSFET 的導通電壓壓擺率需達到 20V/ns 或更高。這意味著 SiC MOSFET 導通期間 V_DS 的完整擺幅變化需要在 20ns $(=400V/20\frac{V}{ns})$ 或更短時間內完成。在 V_DS 擺幅期間，SiC MOSFET 的密勒電荷（對于所選的 SiC MOSFET，Q_GD 參數為 27nC）由柵極驅動器的峰值電流充電；峰值電流需要在 20ns 或更短的時間內為 Q_GD 充電。由此可算出，所需峰值電流至少為 1.35A $(=27nC/20ns)$ 。

UVLO 是一項關鍵保護功能，可在電源故障情況下最大限度地減少 SiC MOSFET 的損壞。如果故障導致 V_GS 降至不安全的水平，那么 SiC MOSFET 可能會出現傳導損耗。這會降低 SiC MOSFET 的效率，增加發熱并縮短其壽命。在該應用場景中，采用具有高 UVLO 額定值的柵極驅動器頗具優勢。

具備某種形式的短路檢測功能，是 SiC MOSFET 的另一項重要保護特性。由于 SiC MOSFET 并不存在像 IGBT 中飽和區到有源區那樣清晰的線性區到飽和區過渡，因此若不對 DESAT 保護這類單電壓閾值檢測方式進行大幅改進，就無法實現精準保護。OCP 是更理想的選擇，它使用分流電阻器來測量電流。