UVLO 是柵極驅(qū)動(dòng)器的一項(xiàng)關(guān)鍵特性，其作用是當(dāng)偏置電源電壓低于預(yù)期值時(shí)，通過關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出來保護(hù) SiC MOSFET。如果柵極驅(qū)動(dòng)器未配備 UVLO 功能，當(dāng)其偏置電源電壓下降時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的電壓可能仍能達(dá)到 SiC MOSFET 的柵源極導(dǎo)通閾值電壓 (V_GS)，但此時(shí)器件并未完全導(dǎo)通，會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的導(dǎo)通損耗。

這種導(dǎo)通損耗可以通過 SiC MOSFET 的漏極電流 (I_D) 與漏源極電壓 (V_DS) 隨 V_GS 變化的 I-V 曲線關(guān)系體現(xiàn)。V_GS 過低會(huì)使 SiC MOSFET 提前進(jìn)入飽和狀態(tài)，且由于漏源極導(dǎo)通電阻 (R_DS(on)) 較大，器件無法完全導(dǎo)通。

圖 3-1 展示了 Si MOSFET 與 SiC MOSFET 的典型 I-V 曲線；V_GS 越低，MOSFET 飽和速度越快。對于 Si MOSFET 和 SiC MOSFET 而言，當(dāng) V_GS < 10V 時(shí)，各曲線之間差距顯著，表明 MOSFET 未完全導(dǎo)通。V_GS 越低，R_DS(on) 就越大，進(jìn)而導(dǎo)致導(dǎo)通損耗越高。

但是，當(dāng) V_GS≥10V 時(shí)，Si MOSFET 和 SiC MOSFET 之間的差異更加明顯。對于 Si MOSFET，V_GS = 10V 和 V_GS = 15V 時(shí)的曲線幾乎重合，表明 Si MOSFET 在 V_GS =10V 時(shí)已完全導(dǎo)通。將 Si MOSFET 的 V_GS 提高到 10V 以上，對降低導(dǎo)通損耗的作用微乎其微。而 SiC MOSFET 在 V_GS = 10V 和 V_GS = 15V 時(shí)的曲線仍有較大差距，這表明與 Si MOSFET 同類器件不同，SiC MOSFET 在 V_GS = 10V 時(shí)并未完全導(dǎo)通。與 V_GS = 15V 的工況相比，在 V_GS = 10V 下運(yùn)行 SiC MOSFET 會(huì)導(dǎo)致更多的導(dǎo)通損耗。

因此，為了在偏置電源啟動(dòng)或關(guān)斷過程中最大限度降低導(dǎo)通損耗，SiC MOSFET 通常要求配備高 UVLO 功能。